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J-GLOBAL ID:201802265737150506   整理番号:18A1251018

半導体N/pドーピング様特性を持つ2D二元プラズモンナノ集合体【JST・京大機械翻訳】

2D Binary Plasmonic Nanoassemblies with Semiconductor n/p-Doping-Like Properties
著者 (16件):
資料名:
巻: 30  号: 26  ページ: e1801118  発行年: 2018年 
JST資料番号: W0001A  ISSN: 0935-9648  CODEN: ADVMEW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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外因性バルク半導体の電子的,光学的,熱的および磁気的性質は,そのドーパント濃度を調整することにより微細に調整できる。ここでは,このようなドーピング概念がプラズモンナノ材料に拡張できることを実証した。モデル系としてAu@AgとAuナノキューブ(NC)の二次元(2D)集合体を用いて,詳細な実験と理論研究を行い,集団半導体n/pドーピング様プラズモン特性を明らかにした。Au@Ag NCの閾値ドーピング濃度が観察され,それ以下ではp-ドーピングが支配され,それ以上ではn-ドーピングが優勢になった。さらに,Au@Ag NCドーパントは,全体的な構造完全性を変えることなくAgを選択的に除去することにより,対応するAuシード「ボイド」ドーパントに変換できる。結果は,プラズモニックドーピング概念がプログラマブル光電子デバイスのためのプラズモンメタ材料の一般的な設計原理誘導合成と組み立てとして役立つ可能性があることを示している。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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原子・分子のクラスタ  ,  貴金属触媒 
タイトルに関連する用語 (4件):
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