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J-GLOBAL ID：201802265772526035   整理番号：18A1509811

InGaZnO TFTに及ぼすPE-CVD SiO_2不動態化における堆積温度と原料ガス化学の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of Deposition Temperature and Source Gas Chemistry in PE-CVD SiO₂ Passivation on InGaZnO TFTs

著者 (4件)： Aman S G Mehadi (Engineering Course) ,  Koretomo Daichi (Engineering Course) ,  Magari Yusaku (Engineering Course) ,  Furuta Mamoru (Engineering Course)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： AM-FPD  ページ： 1-2  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマ増強化学蒸着(PE-CVD)SiO_2不動態化層を有するボトムゲートInGaZnOx薄膜トランジスタ(IGZO TFT)を作製し,それらの特性を解析した。2つの異なるガス化学,SiH_4/N_2O/N_2およびTEOS/02を,180から380°Cまでの堆積温度を変化させてSiO_2の堆積のために調査した。TEOS/O_2ベースのSiO_2の不動態化能力は,膜が180°Cで蒸着されたとき,SiH_4/N_2O/N_2ベースのSiO_2のものよりわずかに良い。しかし,堆積温度が300°Cまたはそれ以上に増加すると,著しい違いが観察された。TEOS/02ガス化学を用いて堆積したSiO_2不動態化を有するTFTはTFT特性を維持したが,SiH_4/N_2O/N_2ガス化学によって堆積した不動態化層を有するTFTは導電性挙動を示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 薄膜トランジスタ ,  プラズマCVD ,  導電性 ,  *不動態化 ,  *一酸化ケイ素 ,  *改変
準シソーラス用語： ボトムゲート , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (7件)： TFT ,  PE ,  CVD ,  不動態化 ,  堆積 ,  原料ガス ,  化学