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J-GLOBAL ID：201802265777474672   整理番号：18A0121866

190mVから昇圧可能な0.18μm標準CMOSプロセスを用いたエネルギーハーベスティング向けCMOSゲート電圧2倍振幅スタートアップボルテージダブラー型チャージポンプ

著者 (2件)： 吉田穣理 (信州大 大学院理工学系研究科) ,  宮地幸祐 (信州大 大学院理工学系研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 117  号： 344(ICD2017 51-96)  ページ： 127  発行年： 2017年12月07日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *半導体プロセス ,  CMOS ,  *エネルギー変換 ,  電圧 ,  *電力変換器 ,  励起 ,  電荷
準シソーラス用語： *CMOSプロセス ,  *エネルギー収穫 ,  ゲート電圧 ,  チャージポンプ ,  昇圧 ,  昇圧回路 ,  *電圧増倍回路

分類 (1件)： エネルギー変換装置  (LC01020U)

タイトルに関連する用語 (8件)： 昇圧 ,  標準 ,  CMOSプロセス ,  エネルギーハーベスティング ,  CMOS ,  ゲート電圧 ,  振幅 ,  チャージポンプ