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J-GLOBAL ID：201802265828283076   整理番号：18A1044408

モバイルDRAMインタフェイスのためのトレーニングデータパターンを用いたレベル較正による8Gb/s適応DFE【JST・京大機械翻訳】

An 8Gb/s adaptive DFE with level calibration using training data pattern for mobile DRAM interface

著者 (6件)： Kim Minchang (Department of Electrical and Computer Engineering, Seoul National University, Seoul, Korea) ,  Park Jihwan (Department of Electrical and Computer Engineering, Seoul National University, Seoul, Korea) ,  Chae Joo-Hyung (Department of Electrical and Computer Engineering, Seoul National University, Seoul, Korea) ,  Ko Hyeongjun (Department of Electrical and Computer Engineering, Seoul National University, Seoul, Korea) ,  Kim Mino (Department of Electrical and Computer Engineering, Seoul National University, Seoul, Korea) ,  Kim Suhwan (Department of Electrical and Computer Engineering, Seoul National University, Seoul, Korea)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ISOCC  ページ： 286-287  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トレーニングシーケンスを用いた8Gb/s適応決定帰還等化器(DFE)を65nm CMOSで設計した。訓練データパターン(10111111)を用いて,周期的に歪んだデータレベルを検出した。タップ係数は,歪んだデータレベルと理想的な高いDCレベルの間の差を補償することにより,訓練モードの間に自動的に調整される。電力消費は1.05V電源電圧で10.4mW,適応時間は90nsである。シミュレーション結果は,タップ係数を訓練した後のデータ目の改善を示した。データの幅と高さは,それぞれ0.36UIから0.84UIと40mVから90mVに改善された。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電力消費 ,  シミュレーション ,  *携帯電話 ,  CMOS ,  *DRAM ,  *インタフェイス
準シソーラス用語： 電源電圧 ,  訓練データ ,  判定帰還型等化器 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： その他の伝送回路素子  (NC04070U) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： モバイル ,  DRAM ,  インタフェイス ,  較正 ,  適応 ,  DfE