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J-GLOBAL ID：201802265867944805   整理番号：18A1699616

窒素ブースト大気圧熱プラズマジェットを用いた4H-SiCウェハ中不純物のミリ秒高速活性化アニール

著者 (3件)： 河崎星輝 (広島大 大学院) ,  花房宏明 (広島大 大学院) ,  東清一郎 (広島大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.20p-221C-2  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  ウエハ【IC】 ,  パワーエレクトロニクス ,  *RTA【熱処理】 ,  プラズマジェット ,  リン ,  イオン注入 ,  活性化 ,  電気抵抗率 ,  *大気圧プラズマジェット
準シソーラス用語： 4H-SiC ,  急速熱処理

分類 (3件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (9件)： 窒素 ,  大気圧 ,  プラズマジェット ,  4H-SiC ,  ウェハ ,  不純物 ,  秒 ,  活性化 ,  アニール