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J-GLOBAL ID:201802265867944805   整理番号:18A1699616

窒素ブースト大気圧熱プラズマジェットを用いた4H-SiCウェハ中不純物のミリ秒高速活性化アニール

著者 (3件):
資料名:
巻: 79th  ページ: ROMBUNNO.20p-221C-2  発行年: 2018年09月05日 
JST資料番号: Y0055B  ISSN: 2758-4704  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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分類 (3件):
分類
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金属-絶縁体-半導体構造  ,  トランジスタ  ,  固体デバイス材料 

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