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J-GLOBAL ID:201802265970454210   整理番号:18A0795158

低エネルギー高線量Ag+イオン注入により形成した多孔質ゲルマニウム【JST・京大機械翻訳】

Porous germanium formed by low energy high dose Ag+-ion implantation
著者 (8件):
資料名:
巻: 152  ページ: 200-204  発行年: 2018年 
JST資料番号: E0347A  ISSN: 0042-207X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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単結晶c-Ge金属イオンの低エネルギー高線量注入に基づくAgナノ粒子を有する薄い多孔質PGe層の合成のための技術的アプローチを提案した。この方法の成功を実証するために,1.5~17イオン/cm2の線量と5μA/cm2の電流密度で,30keVのエネルギーで研磨したc-Ge基板のAg+イオン注入を行った。走査電子顕微鏡と原子間力顕微鏡の方法,ならびにEDX分析と電子後方散乱回折により,c-Ge表面への注入の結果として,多孔質非晶質PGe層が,平均直径約10~20nmのGeナノワイヤを交差するネットワークから成る海綿状構造で形成されることを示した。ナノワイヤの末端では,Agナノ粒子の合成が観察された。Ag+イオン注入中の細孔の形成はGe表面の効率的なスパッタリングを伴うことが分かった。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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その他の物質の放射線による構造と物性の変化 
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