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J-GLOBAL ID：201802265994036010   整理番号：18A1611653

ペロブスカイト量子ドット単層MOS_20D-2D混合次元van der Waalsヘテロ構造における界面電荷挙動変調【JST・京大機械翻訳】

Interfacial Charge Behavior Modulation in Perovskite Quantum Dot-Monolayer MoS₂ 0D-2D Mixed-Dimensional van der Waals Heterostructures

著者 (11件)： Wu Hualin (State Key Laboratory for Advanced Metals and Materials, School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, P. R. China) ,  Kang Zhuo (State Key Laboratory for Advanced Metals and Materials, School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, P. R. China) ,  Zhang Zihan (State Key Laboratory for Advanced Metals and Materials, School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, P. R. China) ,  Zhang Zheng (State Key Laboratory for Advanced Metals and Materials, School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, P. R. China) ,  Si Haonan (State Key Laboratory for Advanced Metals and Materials, School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, P. R. China) ,  Liao Qingliang (State Key Laboratory for Advanced Metals and Materials, School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, P. R. China) ,  Zhang Suicai (State Key Laboratory for Advanced Metals and Materials, School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, P. R. China) ,  Wu Jing (State Key Laboratory for Advanced Metals and Materials, School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, P. R. China) ,  Zhang Xiankun (State Key Laboratory for Advanced Metals and Materials, School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, P. R. China) ,  Zhang Yue (State Key Laboratory for Advanced Metals and Materials, School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, P. R. China) ,  Zhang Yue (Beijing Municipal Key Laboratory of New Energy Materials and Technologies, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, P. R. China)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 28  号： 34  ページ： e1802015  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ヘテロ構造内部の電荷挙動の基本的理解は,高性能オプトエレクトロニクス応用の進歩に極めて重要である。しかし,光励起状態における0D-2D混合次元van der Waalsヘテロ構造(MvdWHs)の電荷挙動は不明のままである。本研究では,エネルギーバンドアラインメントプロトコルを採用して,ペロブスカイト量子ドットの0D-2D MvdWHs内部の有効エネルギーバンド構造エンジニアリングと,正確に設計された典型的タイプIとタイプIIヘテロ構造を有するMoS_2単層を実現した。MvdWHに基づく二つの反対の観点から,界面光誘起電荷挙動のプロフィルと深い理解を決定した。Ramanシフト,消光光ルミネセンス,可視化抑制蛍光強度,短縮蛍光寿命イメージングを含む一連の光学特性化結果の十分な比較により,界面電荷挙動は0D-2D MvdWHのバンドアラインメントを変えることにより調整できることを明らかにした。さらに,光応答性能とこのようなMvdWHベースのフォトトランジスタの比較的強く弱い光ゲーティング効果も,エネルギーバンド構造エンジニアリングによる0D-2D MvdWHの界面電荷挙動の変調を実証した。これは光電子性能最適化のために依然として実行可能である。これらの結果は,新しい機能デバイスの設計と,予測可能な将来における0D-2D MvdWHの開発プロセスの進歩に光を当てることが期待される。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光学的性質 ,  光ポンピング ,  *界面 ,  光ルミネセンス ,  オプトエレクトロニクス ,  *単一層 ,  *二次元 ,  バンド構造 ,  *電荷 ,  消光 ,  *量子ドット ,  可視化
準シソーラス用語： ゲーティング ,  バンドアライメント ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： バンド構造工学 ,  界面電荷挙動 ,  混合次元van der Waalsヘテロ構造 ,  ペロブスカイト量子ドット ,  光ゲーティング効果

分類 (3件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  その他の固体デバイス  (NC03150A) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (9件)： ペロブスカイト量子ドット ,  単層 ,  2D ,  次元 ,  VAN ,  ヘテロ構造 ,  界面電荷 ,  挙動 ,  変調