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J-GLOBAL ID：201802266065482876   整理番号：18A0616833

遷移金属をドープした立方晶窒化ガリウムの電子および磁気的挙動:第一原理計算【Powered by NICT】

Electronic and magnetic behavior of transition metal-doped cubic gallium nitride: first-principles calculations

著者 (4件)： Espitia R Miguel J. (Grupo GEFEM, Universidad Distrital Francisco Jose de Caldas, Bogota, Colombia) ,  Salcedo Parra Octavio (Intelligent Internet Group, Universidad Distrital Francisco Jose de Caldas, Bogota, Colombia) ,  Salcedo Parra Octavio (Departamento de Ingenieria de Sistemas e Industrial, Universidad Nacional de Colombia, Bogota, Colombia) ,  Ortega Lopez Cesar (Grupo Avanzado de Materiales y Sistemas Complejos GAMASCO, Universidad de Cordoba, Monteria, Colombia)
資料名： Journal of Magnetism and Magnetic Materials  (Journal of Magnetism and Magnetic Materials)
巻： 451  ページ： 295-299  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0644A  ISSN： 0304-8853  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論の枠内で第一原理計算により,閃亜鉛鉱型構造におけるGa_0Zn0.9375O Ti_0.0625N,Ga_0Zn0.9375O V_0.0625N,Ga_0Zn0.9375O Cr_0.0625N化合物の電子的および磁気的性質を調べるために用い,擬ポテンシャル法を用いた。状態の計算されたバンド構造と密度は三化合物は半金属的挙動を示し,伝導キャリアの100%分極を示唆することを明らかにした。スーパーセル当り1.0%,2.0%,3.0μ_βの正味の磁気モーメントを見出した。結果は,化合物はスピントロニクスにおける潜在的応用のために良好な希薄磁性半導体であることを示唆した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 半金属 ,  磁気モーメント ,  密度汎関数法 ,  *ドーピング ,  バンド構造 ,  スピントロニクス ,  擬ポテンシャル法 ,  磁気的性質 ,  *計算 ,  *窒化ガリウム ,  *立方晶系 ,  *遷移金属
準シソーラス用語： 希薄磁性半導体 ,  閃亜鉛鉱型構造 ,  *第一原理計算 ,  *磁気的挙動 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： DFT ,  半金属 ,  電子的および磁気的性質

分類 (2件)： 有機化合物の磁性  (BM06070A) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 遷移金属 ,  ドープ ,  立方晶 ,  窒化ガリウム ,  電子 ,  磁気的挙動 ,  第一原理計算