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J-GLOBAL ID:201802266115931946   整理番号:18A0289895

SiP~+カチオンの20の低位電子状態の分光および分子特性の正確な予測【Powered by NICT】

Accurate predictions of spectroscopic and molecular properties of 20 low lying electronic states of SiP+ cation
著者 (5件):
資料名:
巻: 1113  ページ: 52-60  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2300A  ISSN: 2210-271X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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SiP~+カチオンの二十の低準位電子状態のポテンシャルエネルギー曲線(PEC)を,内部簡約多参照配置間相互作用法により計算した。すべて二十の低準位電子状態の最初の二解離チャネルSi~+(~2P_u)+P(~4S_u)とSi~+(~2P_u)+P(~2D_u)により生成した。Davidson補正を計算に考慮した。一方,内殻-価電子相関とスカラー相対論的補正を含めた。すべてのPECを完全な基底関数系限界に外挿した。分光パラメータは,すべてのΛ-S束縛状態に対する評価,測定および他の理論的結果と比較した。いくつかの弱く結合した状態の振動特性を決定した。遷移A~Π X1~3Σ~,b~Π-X1~3Σ~およびb~Π-a1~1ΔのFranck-Condon因子と放射寿命をさらなる研究のために予測した。遷移双極子モーメントを計算した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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