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J-GLOBAL ID：201802266156483854   整理番号：18A1777859

硫化クロムハロゲン化物単分子層 大きなスピン分極と高キャリア移動度を持つ固有強磁性半導体【JST・京大機械翻訳】

Chromium sulfide halide monolayers: intrinsic ferromagnetic semiconductors with large spin polarization and high carrier mobility

著者 (5件)： Guo Yilv (School of Physics, Southeast University, Nanjing 211189, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Zhang Yehui ,  Yuan Shijun ,  Wang Bing ,  Wang Jinlan
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 10  号： 37  ページ： 18036-18042  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2D)強磁性半導体(FMSs)は,スピン自由度の利用により半導体デバイスの機能性を高める可能性がある。ここでは,大きなスピン分極,大きな磁気モーメントおよび高いCurie温度をもつ硫化クロム・ハロゲン化物CrSX(X=Cl,Br,I)族における一連の固有のFMS単分子層を予測した。このようなCrSClおよびCrSBr単分子層は,それぞれ6.6×10~3および5.3×10~3cm~2V~-1s-1までの高い正孔移動度を有していた。さらに,これらの2D単分子層は優れた動的および熱安定性とバルクからの小さな剥離エネルギーを示した。それらの高い移動度を有するこれらの固有のFMSsは次世代スピントロニクスおよびエレクトロニクスのための競争的候補を提供する可能性がある。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Curie温度 ,  *移動度 ,  *キャリア移動度 ,  磁気モーメント ,  半導体素子 ,  エネルギー ,  *スピン分極 ,  *単分子層 ,  熱安定性 ,  *ハロゲン化物 ,  電子技術 ,  二次元 ,  *強磁性半導体 ,  スピントロニクス
準シソーラス用語： 正孔移動度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (7件)： 硫化クロム ,  ハロゲン化物 ,  単分子層 ,  スピン分極 ,  キャリア移動度 ,  固有 ,  強磁性半導体