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J-GLOBAL ID:201802266329964337   整理番号:18A1067522

ハイブリッドハロゲン化鉛ペロブスカイトにおける直接または間接バンドギャップ?【JST・京大機械翻訳】

Direct or Indirect Bandgap in Hybrid Lead Halide Perovskites?
著者 (15件):
資料名:
巻:号: 10  ページ: e1701254  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2486A  ISSN: 2195-1071  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ハイブリッド鉛ハロゲン化物ペロブスカイトは,可視スペクトルにおける非常に大きな光吸収係数,光励起電荷キャリアの大きな拡散長および長い励起状態寿命,太陽電池およびLEDの実現に利用されてきた特性を有するユニークな溶液処理半導体である。しかし,ハイブリッドペロブスカイトの最も基本的な性質の一つは,光学バンドギャップが直接的であるか間接的であるかについて活発に議論されている。ペロブスカイトは多くの公表文献において直接バンドギャップ半導体と考えられてきたが,最近の研究はRashbaスピン-軌道結合が間接ギャップをもたらし,エネルギーが直接のものより数十meV低いことを提案している。ここでは,ハイブリッドペロブスカイトにおける放射再結合速度を温度の関数として測定し,パルス励起下での光ルミネセンスの瞬時強度からそれらの値を抽出した。実験データは,放射再結合が,全ての直接バンドギャップ材料において,3D Rashba半導体に対して期待されるものと反対に,温度の低下と共により速くなることを示した。この技術を,多結晶と単結晶試料の両方におけるCH_3NH_3PbI_3とCH_3NH_3PbBr_3,ならびに検証目的のためのGaAsに適用した。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
分類
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太陽電池 
タイトルに関連する用語 (2件):
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