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J-GLOBAL ID：201802266368372199   整理番号：18A0973143

硬X線分光法を用いたチタニアヘテロ構造上のセシウムヨウ化ビスマスの電子構造とバンド界面【JST・京大機械翻訳】

The electronic structure and band interface of cesium bismuth iodide on a titania heterostructure using hard X-ray spectroscopy

著者 (12件)： Phuyal Dibya (Division of Molecular & Condensed Matter, Department of Physics, Uppsala University, Box 516, SE-75121, Uppsala, Sweden. [e-mail]) ,  Jain Sagar M. ,  Philippe Bertrand ,  Johansson Malin B. ,  Pazoki Meysam ,  Kullgren Jolla ,  Kvashnina Kristina O. ,  Klintenberg Matthias ,  Johansson Erik M. J. ,  Butorin Sergei M. ,  Karis Olof ,  Rensmo Hakan
資料名： Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability  (Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability)
巻： 6  号： 20  ページ： 9498-9505  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0204B  ISSN： 2050-7488  CODEN： JMCAET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非毒性代替物としてのハロゲン化ビスマス化合物は,オプトエレクトロニクスデバイスにおけるそれらの可能性とそれらの豊富な構造化学のためにますます研究されている。硬X線分光法を,原子レベルでのその電子構造を理解するために,三成分系ビスマスハロゲン化物Cs_3Bi_2I_9とその関連前駆体BiI_3とCsIに適用した。X線光電子放出分光法(PES),高分解能X線吸収(HERFD-XAS),及び共鳴非弾性X線散乱(RIXS)を用いて,二つのビスマス化合物の化学及びバンド端特性を洞察するために,コア準位及び価電子バンドを特に調べた。これらの元素特異的X線技術を用いて,著者らの実験的電子構造は,二つのビスマス試料間の一次差が価電子帯と伝導帯のヨウ素状態の位置とビスマス孤立電子対(6s~2)状態との混成の程度であることを示した。二つの層状準ペロブスカイト化合物の結晶構造は,ビスマス孤立電子対状態とヨウ素バンド端状態の変化により,全体の電子構造を修飾するのに小さな役割を果たす。密度汎関数理論(DFT)計算を用いて実験データと比較した。結果は,元素特異的バルク電子構造を同定するための硬X線分光法の有効性と光電子デバイスにおけるそれらの使用を実証した。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *硬X線 ,  *ビスマス ,  密度汎関数法 ,  *界面 ,  計算 ,  ビスマス化合物 ,  孤立電子対 ,  内殻準位 ,  結晶構造 ,  ヨウ素 ,  前駆体 ,  価電子バンド ,  *電子構造 ,  伝導バンド
準シソーラス用語： *二酸化チタン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 光化学反応  (CB08020F) ,  触媒の調製  (CB06110P) ,  電気化学反応  (CB07050F) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  熱電デバイス  (NC03090J)

タイトルに関連する用語 (10件)： 硬X線 ,  分光法 ,  チタニア ,  ヘテロ構造 ,  セシウム ,  ヨウ化 ,  ビスマス ,  電子構造 ,  バンド ,  界面