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J-GLOBAL ID：201802266383022994   整理番号：18A1028544

CdTeにおけるCuドーピングの形成と自己補償機構を研究するための拡散反応シミュレーションの使用【JST・京大機械翻訳】

Using diffusion-reaction simulation to study the formation and self-compensation mechanism of Cu doping in CdTe

著者 (9件)： Guo D. (School of Electrical, Computer and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, AZ, USA) ,  Akis R. (School of Electrical, Computer and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, AZ, USA) ,  Brinkman D. (School of Mathematical and Statistical Science, Arizona State University, Tempe, AZ, USA) ,  Moore A. (Department of Physics, Colorado State University, Fort Collins, CO, USA) ,  Yang J. H. (National Renewable Energy Laboratory, Golden, CO, USA) ,  Krasikov D. (First Solar Inc., Perrysburg, OH, USA) ,  Sankin I. (First Solar Inc., Perrysburg, OH, USA) ,  Ringhofer C. (School of Mathematical and Statistical Science, Arizona State University, Tempe, AZ, USA) ,  Vasileska D. (School of Electrical, Computer and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, AZ, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PVSC  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu(i)-Cu(Cd)とCd(i)-Cu(Cd)錯体に関連する機構を説明するCdTe吸収体における銅p型ドーピングの改良モデルを提案した。これは拡散を制限し,Cu種の自己補償を引き起こす。この新しいモデルは,以前の研究で報告されたCuのDFT計算と適合拡散パラメータの間の明らかな矛盾を説明し,CdTe PVデバイスにおける性能と準安定性のより良い理解を可能にした。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 錯体 ,  吸収体 ,  *シミュレーション ,  *銅 ,  *テルル化カドミウム ,  密度汎関数法 ,  *ドーピング
準シソーラス用語： 準安定性 ,  p型ドーピング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (8件)： CdTe ,  Cu ,  ドーピング ,  自己 ,  補償 ,  研究 ,  拡散 ,  シミュレーション