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J-GLOBAL ID:201802266486294872   整理番号:18A1132024

CBドープSiO_2F/PI二重層複合材料の誘電およびマイクロ波吸収特性【JST・京大機械翻訳】

Dielectric and microwave absorption properties of CB doped SiO2f/PI double-layer composites
著者 (7件):
資料名:
巻: 44  号: 12  ページ: 14007-14012  発行年: 2018年 
JST資料番号: H0705A  ISSN: 0272-8842  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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5.5wt%および15wt%充填石英ガラス繊維強化ポリイミド(SiO_2f/PI)複合材料の含有量を有するカーボンブラック(CB)を設計して調製した。二層吸収材料を,それぞれ整合層と吸収層として二つの複合材料を用いて設計した。単層および二重層複合材料のマイクロ波吸収特性を,伝送線路理論に従って計算した。結果は,二重層複合材料のマイクロ波吸収特性が同じ厚さにおいて単層のものより良いことを示した。5.5wt%CBドープSiO_2f/PI複合材料を0.7mmの厚さの整合層として使用し,15wt%CBドープSiO_2f/PI複合材料を0.9mmの厚さの吸収層として用いたとき,複合材料のRL(反射損失)は16.07GHzで-46.18dBの最小値に達した。一方,RL≦-5dBの帯域幅は5.87GHzであり,RL≦-10dBの帯域幅は3.95GHzである。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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セラミック・磁器の性質 
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