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J-GLOBAL ID：201802266635483705   整理番号：18A0968439

MBE成長SnSe_2のバンドオフセットと電子親和性【JST・京大機械翻訳】

Band offset and electron affinity of MBE-grown SnSe₂

著者 (15件)： Zhang Qin (Theiss Research, La Jolla, California 92037, USA) ,  Li Mingda (Oscar) (School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA) ,  Lochocki Edward B. (Department of Physics, Laboratory of Atomic and Solid State Physics, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA) ,  Vishwanath Suresh (School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA) ,  Liu Xinyu (Department of Physics, University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556, USA) ,  Yan Rusen (School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA) ,  Lien Huai-Hsun (Department of Materials Science and Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA) ,  Dobrowolska Malgorzata (Department of Physics, University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556, USA) ,  Furdyna Jacek (Department of Physics, University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556, USA) ,  Shen Kyle M. (Department of Physics, Laboratory of Atomic and Solid State Physics, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA) ,  Cheng Guangjun (Engineering Physics Division, National Institute of Standards and Technology, Gaithersburg, Maryland 20899, USA) ,  Hight Walker Angela R. (Engineering Physics Division, National Institute of Standards and Technology, Gaithersburg, Maryland 20899, USA) ,  Gundlach David J. (Engineering Physics Division, National Institute of Standards and Technology, Gaithersburg, Maryland 20899, USA) ,  Xing Huili G. (School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA) ,  Nguyen N. V. (Engineering Physics Division, National Institute of Standards and Technology, Gaithersburg, Maryland 20899, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 112  号： 4  ページ： 042108-042108-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SnSe_2は,このレターで実験的に確認されている大きな電子親和性のためにトンネル電界効果トランジスタにおいて近破壊ギャップヘテロ接合を形成する可能性のある二次元材料と考えられている。Al/Al_2O_3/SnSe_2/GaAsおよびSnSe_2/GaAs試験構造で行った内部光電子放出および角度分解光電子放出分光法からの結果を用いて,SnSe_2を分子線エピタクシーによりGaAs上に成長させ,SnSe_2の(5.2±0.1)eV電子親和性を確認した。SnSe_2Fermi準位からAl_2O_3伝導帯極小へのバンドオフセットは,(3.3±0.05)eVであり,SnSe_2は,伝導帯最小の約0.2eVに位置するFermi準位をもつ高レベルの真性電子(n型)ドーピングを持つことが分かった。SnSe_2の電子親和性は大部分の半導体のそれよりも大きく,高いオン電流を達成できるトンネル電界効果トランジスタに対して,他の適切な半導体と結合できることが結論された。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Fermi準位 ,  ドーピング ,  光電子放出 ,  半導体 ,  *電子親和力 ,  伝導バンド ,  スペクトロスコピー ,  電流 ,  ヒ化ガリウム ,  *バンドオフセット ,  化合物半導体 ,  ヘテロ接合 ,  *MBE成長
準シソーラス用語： 二次元材料 ,  トンネル電界効果トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： MBE成長 ,  バンドオフセット ,  電子親和性