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J-GLOBAL ID：201802266675438797   整理番号：18A1029030

リン化ガリウム/シリコンヘテロ接合太陽電池のモデリング【JST・京大機械翻訳】

Modeling of a gallium phosphide/silicon heterojunction solar cells

著者 (4件)： Luppina Pietro (Technische Universitaet Muenchen, Lehrstuhl fuer Nanoelektronik, Munich, Germany) ,  Bowden Stuart (Arizona State University School of Electrical, Computer and Energy Engineering, Tempe, AZ, USA) ,  Lugli Paolo (Technische Universitaet Muenchen, Lehrstuhl fuer Nanoelektronik, Munich, Germany) ,  Goodnick Stephen M. (Arizona State University School of Electrical, Computer and Energy Engineering, Tempe, AZ, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PVSC  ページ： 1-6  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,Si(c-Si)/非晶質Si(a-Si)HIT太陽電池と比較して,リン化ガリウム(GaP)/結晶シリコン(c-Si)構造に基づくヘテロ接合Si(HJSi)太陽電池の性能を研究するために,結合光学および電気モデルを用いた。シミュレーションはSentaurus TCADツールで行った数値ドリフト-拡散モデルに基づいている。異なるITO厚さを持つ平坦で組織化した表面の場合に対する高nドープ酸化インジウムスズ(ITO n+)窓層の影響を調べた。シミュレーション結果は,HJSi太陽電池の上部層に使用されたGaPが性能を改善する良い候補であり,a-Siを有するHITセルに対して現在達成されている25.6%を超える効率に達することを示した。種々のエミッタ設計のために作製した太陽電池構造の詳細なシミュレーション研究を行い,効率,短絡電流および開回路電圧のような性能の重要な性能を抽出した。この値は最近報告された太陽電池と良く一致した。シミュレーション手法を検証した後,太陽電池の性能を最大化するために,異なる最適化技術を検討した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 短絡電流 ,  シミュレーション ,  非晶質 ,  *太陽電池 ,  ドーピング ,  *ヘテロ接合 ,  *モデリング ,  上層 ,  *ケイ素 ,  *リン化ガリウム ,  ドリフト ,  酸化インジウムスズ
準シソーラス用語： シリコン太陽電池 ,  開回路電圧 ,  TCAD ,  *ヘテロ接合太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： リン化ガリウム ,  シリコン ,  ヘテロ接合太陽電池 ,  モデリング