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J-GLOBAL ID：201802266897148734   整理番号：18A1028851

反反射コーティングとしてのアルミニウムドープZnOの実証【JST・京大機械翻訳】

Demonstration of aluminum doped ZnO as anti-reflection coating

著者 (4件)： Eghfeli Muhaira Al (Department of Electrical Engineering and Computer Science (EECS), Masdar Institute of Science and Technology, P.O. Box 54224, Abu Dhabi, UAE) ,  Hadi Sabina Abdul (Department of Electrical Engineering and Computer Science (EECS), Masdar Institute of Science and Technology, P.O. Box 54224, Abu Dhabi, UAE) ,  Atab Nazek El (Department of Electrical Engineering and Computer Science (EECS), Masdar Institute of Science and Technology, P.O. Box 54224, Abu Dhabi, UAE) ,  Nayfeh Ammar (Department of Electrical Engineering and Computer Science (EECS), Masdar Institute of Science and Technology, P.O. Box 54224, Abu Dhabi, UAE)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PVSC  ページ： 1-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,薄膜a-Siおよびc-Si太陽電池用の反射防止被覆(ARC)としての導電性アルミニウムドープ酸化亜鉛,Al:ZnO(AZO)層の使用を実証した。低温原子層堆積をAZO成長に用いた。AZO層の複素屈折率と作製したセルの性能を報告した。すなわち,約73nmのAZO ARCを用いて,アゾ/100nm a-SiとAZO/2μm c-Siである。作製したAZO/a-Siについて測定した電流密度は5.1mA/cm2,AZO/c-Si19.72mA/cm2,73nmのAZOはc-Siセルに対して600nmの波長で反射を完全に最小化した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 反射防止膜 ,  導電性 ,  波長 ,  電流密度 ,  低温 ,  太陽電池 ,  *酸化亜鉛 ,  *被覆 ,  複素屈折率 ,  薄膜 ,  *アルミニウム
準シソーラス用語： シリコン太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： コーティング ,  アルミニウム ,  ドープ ,  ZnO ,  実証