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J-GLOBAL ID：201802267001124318   整理番号：18A1028697

波形表面を有するシリコンヘテロ構造p-i-n太陽電池の設計と製作段階【JST・京大機械翻訳】

Design and fabrication steps of silicon heterostructured p-i-i-n solar cell with corrugated surface

著者 (4件)： Mil’shtein S. (Advanced Electronic Technology Center, ECE Dept., UMass Lowell, MA, USA) ,  Zinaddinov M. (Advanced Electronic Technology Center, ECE Dept., UMass Lowell, MA, USA) ,  Tokmoldin N. (Institute of Physics and Technology of Academy of Science Almaty, Republic of Kazakhstan) ,  Tokmoldin S. (Institute of Physics and Technology of Academy of Science Almaty, Republic of Kazakhstan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PVSC  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 現在の設計は,太陽エネルギーの効率的な収穫,すなわち,可変エネルギーギャップカスケードp-i-n a-Si/c-Si構造の能力のいくつかの主要な問題を扱い,装置の過熱を回避し,太陽追跡なしで30%まで太陽時間の数を増加させる。この新しい太陽電池は,厚さ0.1μmのアクセプタをドープした(10~16cm~3)a-Si層とそれに続く2.5μmの真性a-Siからなる。次の真性領域は2.5μm厚のc-Siで,1μm層ドナーをドープした(10~16cm~3)c-Siである。Eギャップ_1=1.97eVとギャップ_2=1.12eVで設計されたI-I層は,低い再結合速度のために光キャリアの最も生産的な発生器である。カスケード設計は,高エネルギー光子の吸収がEgap1=1.97eVの材料のa-Si層で起こるので,c-Si層の過熱を防止する。太陽との相互作用を向上させるために,水平(太陽上昇/太陽セット)が低いので,カスケード太陽電池の上層のコルゲーションを設計した。それは,自己のトップにおける集合組織非晶質Si材料にとって非常に挑戦的である。したがって,結晶Siを選択的にエッチングし,続いて非晶質層のCVDエピタクシーを行い,c-Siの表面配置を複製する技術ステップの配列を設計した。設計した太陽電池の効率は29.4%で,充填係数は0.86であった。セルの設計した波形表面は太陽時間を約30%延長した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 上層 ,  *太陽 ,  アクセプタ ,  ドーピング ,  非晶質 ,  相互作用 ,  *太陽電池 ,  ドナー ,  アモルファスシリコン ,  集合組織 ,  エピタクシー ,  太陽エネルギー ,  光子
準シソーラス用語： シリコン太陽電池 ,  再結合速度 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： 波形 ,  シリコン ,  ヘテロ構造 ,  太陽電池 ,  設計 ,  製作 ,  段階