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J-GLOBAL ID：201802267055755296   整理番号：18A0146918

GeO_xマトリックス中に埋め込まれたGeナノ結晶の構造的,光学的および電気的特性に及ぼすアニーリング温度の影響【Powered by NICT】

Effects of Annealing Temperature on Structural, Optical and Electrical Properties of Ge Nanocrystals Embedded in GeO_x Matrix

著者 (3件)： Rathore Mahendra Singh (Department of Physics, Malaviya National Institute of Technology Jaipur, J.L.N. Marg, Jaipur-302017, India) ,  Vinod Arun (Department of Physics, Malaviya National Institute of Technology Jaipur, J.L.N. Marg, Jaipur-302017, India) ,  Rao N. Srinivasa (Department of Physics, Malaviya National Institute of Technology Jaipur, J.L.N. Marg, Jaipur-302017, India)
資料名： Macromolecular Symposia  (Macromolecular Symposia)
巻： 376  号： 1  ページ： ROMBUNNO.201700024  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0318C  ISSN： 1022-1360  CODEN： MSYMEC  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GeO_xマトリックス中に埋め込まれたGeナノ結晶の成長に及ぼす焼なまし温度の影響を調べた。電子ビーム蒸着を用いたSiと石英基板上に堆積したGeO_x薄膜を650°C,750°Cおよび850°Cでの窒素雰囲気下でアニールした。清浄なそしてアニールした試料をX線回折,Raman分光法,原子間力顕微鏡,UV-可視分光法と半導体デバイス分析器(SDA)を用いて特性化した。XRDから明らかな蒸着したままの膜は事実上非晶質でことであるが,750°Cまでアニールした膜は結晶GeとGeO_2の共存を明らかにした。しかし,温度のさらなる増加はGeピークのみGeO_2相と消失を反映している。Ramanスペクトル中で750°Cまでアニールした膜に対して299cm~ 1で鋭く強いピークは,Geナノ結晶の形成を示し,約436cm~ 1ピークは結晶GeO_2に起因していた。未処理およびアニールした膜の光学バンドギャップをUV-Vis分光法を用いて計算した。アニールした膜のI-V測定はOhm性挙動を示した。結果は,焼なまし温度が膜の結晶性,ナノ結晶のサイズと光学バンドギャップに著しく影響することを明らかにした。GeO_xマトリックス中に埋め込まれたnc-Geの構造的,光学的および電気的性質に及ぼす焼なまし温度の影響を詳細に報告されている。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ナノ結晶 ,  X線回折 ,  原子間力顕微鏡 ,  電子ビーム蒸着 ,  結晶度 ,  *電気的性質 ,  薄膜 ,  Raman分光法 ,  Ramanスペクトル ,  光学ギャップ ,  非晶質 ,  キャラクタリゼーション ,  *ゲルマニウム
準シソーラス用語： 焼きなまし温度 ,  *アニーリング温度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： I-V測定 ,  Geナノ結晶 ,  GeOx膜 ,  Raman分光 ,  XRD

分類 (3件)： 高分子固体の構造と形態学  (CG02022M) ,  重合触媒,重合開始剤  (CG04070V) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (6件)： マトリックス ,  Ge ,  ナノ結晶 ,  光学 ,  電気的特性 ,  アニーリング温度