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J-GLOBAL ID：201802267081408068   整理番号：18A0728890

界面結合効果を持つFD-SOI基板に基づく新しい光検出器【JST・京大機械翻訳】

Novel photodetector based on FD-SOI substrate with interface coupling effect

著者 (9件)： Wan J. (State key lab of ASIC and System, School of Information Science and Engineering, Fudan University, China) ,  Deng J N. (State key lab of ASIC and System, School of Information Science and Engineering, Fudan University, China) ,  Cao X Y. (State key lab of ASIC and System, School of Information Science and Engineering, Fudan University, China) ,  Liu H B. (State key lab of ASIC and System, School of Information Science and Engineering, Fudan University, China) ,  Lu B R. (State key lab of ASIC and System, School of Information Science and Engineering, Fudan University, China) ,  Chen Y F. (State key lab of ASIC and System, School of Information Science and Engineering, Fudan University, China) ,  Zaslavsky A. (Department of Physics and School of Engineering, Brown University, Providence, RI02912, USA) ,  Cristoloveanu S. (IMEP-LAHC, INP-Grenoble/Minatec, BP257, Grenoble 38016, France) ,  Bawedin M. (IMEP-LAHC, INP-Grenoble/Minatec, BP257, Grenoble 38016, France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： IWJT  ページ： 1-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 完全空乏化シリコンオンインシュレータ(FD-SOI)基板に基づく新しい半導体光検出器を実験的に提案し実証した。素子はFD-SOI MOSFETにおいて独自に見いだされた界面結合効果を利用し,その中で光発生電子が上部界面に蓄積し,底部界面における正孔電流を変調する。この素子の応答性は1×10~4A/W以上に達し,SOI基板に基づく他の光検出器とは異なり,上部シリコン層の厚さが減少すると増加した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電流 ,  MOSFET ,  応答特性 ,  半導体 ,  *光検出器 ,  正孔 ,  *界面
準シソーラス用語： *SOI基板 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 界面 ,  SOI基板 ,  光検出器