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J-GLOBAL ID：201802267133414256   整理番号：18A0968627

低電子濃度のHgSe単結晶における磁気抵抗の特異な挙動【JST・京大機械翻訳】

Peculiar behavior of magnetoresistance in HgSe single crystal with low electron concentration

著者 (6件)： Lonchakov A. T. (M.N. Miheev Institute of Metal Physics of Ural Branch of Russian Academy of Sciences, 620108 Yekaterinburg, Russia) ,  Bobin S. B. (M.N. Miheev Institute of Metal Physics of Ural Branch of Russian Academy of Sciences, 620108 Yekaterinburg, Russia) ,  Deryushkin V. V. (M.N. Miheev Institute of Metal Physics of Ural Branch of Russian Academy of Sciences, 620108 Yekaterinburg, Russia) ,  Okulov V. I. (M.N. Miheev Institute of Metal Physics of Ural Branch of Russian Academy of Sciences, 620108 Yekaterinburg, Russia) ,  Govorkova T. E. (M.N. Miheev Institute of Metal Physics of Ural Branch of Russian Academy of Sciences, 620108 Yekaterinburg, Russia) ,  Neverov V. N. (M.N. Miheev Institute of Metal Physics of Ural Branch of Russian Academy of Sciences, 620108 Yekaterinburg, Russia)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 112  号： 8  ページ： 082101-082101-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低電子濃度のHgSe単結晶の磁気抵抗特性を広範囲の温度と磁場で調べた。電子のスペクトルと散乱のいくつかの基本パラメータを実験的に決定した。磁気輸送の2つの重要な特徴は,基本的に強い横磁気抵抗(MR)と負の縦方向MRであり,HgSeにおけるWeyl半金属(WSM)のトポロジー相の存在を示すことができる。この仮説を考慮して,低電子エネルギーにおけるセレン化水銀の修正バンド図を提案した。得られた結果は,エレクトロニクス,スピントロニクス,コンピュータ,およびレーザ技術における種々の応用のためのギャップのない半導体とWSMの有望な材料の両方の物理のより深い理解のために不可欠である。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 半導体 ,  磁場 ,  *単結晶 ,  スペクトル ,  スピントロニクス ,  コンピュータ ,  *磁気抵抗 ,  セレン化水銀 ,  電子技術 ,  トポロジカル相
準シソーラス用語： 電子エネルギー ,  トポロジー相 ,  磁気輸送 ,  *電子濃度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電子濃度 ,  単結晶 ,  磁気抵抗 ,  挙動