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J-GLOBAL ID：201802267152156473   整理番号：18A1143295

Lonsdaleiteケイ素ナノワイヤの光学的性質:オプトエレクトロニクス応用の有望な材料【JST・京大機械翻訳】

Optical properties of lonsdaleite silicon nanowires: A promising material for optoelectronic applications

著者 (2件)： Dixit Saurabh (Laser-Assisted Material Processing and Raman Spectroscopy Laboratory, Department of Physics, Indian Institute of Technology Delhi, New Delhi 110016, India) ,  Shukla A. K. (Laser-Assisted Material Processing and Raman Spectroscopy Laboratory, Department of Physics, Indian Institute of Technology Delhi, New Delhi 110016, India)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 123  号： 22  ページ： 224301-224301-7  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ロンスダライトシリコンは魅力的な魅力を示し,室温で光ルミネセンスを持つことが知られている。いくつかの研究者は,間接バンドギャップによるオプトエレクトロニクスデバイスの領域におけるダイヤモンド立方晶シリコンの限界を報告している。したがって,シリコンの異なる相を,その限界を克服するために,ダイヤモンドシリコンの代替のために世界的に研究した。最近,ロンスダライトシリコンナノワイヤ(SiNW)がオプトエレクトロニクス応用の可能性のある材料として使用できることが示唆されている。そこで,Raman分光法,紫外可視吸収分光法および光ルミネセンス分光法により,ロンスダライトシリコンナノワイヤの光学的性質を調べた。密度汎関数計算を用いて計算されたフォノン分散曲線を用いて,ロンスダライトシリコンナノワイヤのRamanモードを研究した。ロンスダライトシリコンナノワイヤの吸収係数は,ダイヤモンド構造SiNWのそれと比較して顕著な増強を示した。さらに,緑色の黄色の光ルミネセンスもまた,ロンスダライトシリコンナノワイヤから観測された。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ケイ素 ,  光ルミネセンス ,  立方晶系 ,  吸光分光分析 ,  フォノン分散 ,  吸収係数 ,  *光学的性質 ,  Raman分光法 ,  *オプトエレクトロニクス ,  ダイヤモンド
準シソーラス用語： ダイヤモンド型構造 ,  密度汎関数計算 ,  光電子デバイス ,  間接バンドギャップ ,  *シリコンナノワイヤ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 光物性一般  (BM08010A) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： ケイ素ナノワイヤ ,  光学的性質 ,  オプトエレクトロニクス ,  応用