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J-GLOBAL ID：201802267227109677   整理番号：18A0712473

マレーシアで運転されるオンサイト劣化多結晶PVモジュールの電位誘起劣化の調査【JST・京大機械翻訳】

Investigation of the potential induced degradation of on-site aged polycrystalline PV modules operating in Malaysia

著者 (5件)： Islam M.A. (UM Power Energy Dedicated Advanced Center, Level 4, Wisma R&D, University of Malaya, 59990 Kuala Lumpur, Malaysia) ,  Islam M.A. (Institute of Graduate Studies, University of Malaya, 50603 Kuala Lumpur, Malaysia) ,  Hasanuzzaman M. (UM Power Energy Dedicated Advanced Center, Level 4, Wisma R&D, University of Malaya, 59990 Kuala Lumpur, Malaysia) ,  Rahim Nasrudin Abd (UM Power Energy Dedicated Advanced Center, Level 4, Wisma R&D, University of Malaya, 59990 Kuala Lumpur, Malaysia) ,  Rahim Nasrudin Abd (Renewable Energy Research Group, King Abdulaziz University, Jeddah, Saudi Arabia)
資料名： Measurement  (Measurement)
巻： 119  ページ： 283-294  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0315B  ISSN： 0263-2241  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： PVモジュールのPID挙動の現場調査を典型的なマレーシア気候下で行った。ELイメージングによるPVモジュールの定量的劣化測定プロセスを紹介した。このp型多結晶Si PVモジュールの負の電圧ストレスに対してのみPIDを観測した。負の端部PVモジュールは,240Vストリングサイズから負の電圧ストレス下で9年のフィールドエージングにより42%劣化した。一方,正の端部PVモジュールは,通常のフィールドエージングにより,同じ期間にわたって約17%近くで劣化した。負端モジュールのシャント抵抗は,正端モジュールのそれより75%低いことが分かった。モジュール亀裂伝搬は,オンサイト繰返し高電圧ストレスにより加速されることが分かった。より高いストリングサイズのPIDを,ブランドの新しい同じPVモジュールの漏れ電流から推定した。600Vストレス下のPVモジュールの推定PIDは72.84%である。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 漏れ電流 ,  ポリシリコン ,  亀裂伝搬 ,  気候 ,  画像処理 ,  *電位 ,  *多結晶 ,  ブランド ,  *マレーシア
準シソーラス用語： シャント抵抗 ,  電圧ストレス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： オンサイトPID ,  ELイメージング ,  加齢効果 ,  シャント抵抗 ,  漏れ電流

分類 (2件)： 長さ,面積,断面,体積,容積,角度の計測法・機器  (AD05020O) ,  生体計測  (EL03020C)

タイトルに関連する用語 (7件)： マレーシア ,  多結晶 ,  PV ,  モジュール ,  電位 ,  誘起 ,  調査