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J-GLOBAL ID：201802267272637315   整理番号：18A0401508

正方放物型非対称二重量子井戸構造における多重サブバンド電子移動度の増大【Powered by NICT】

Enhancement of multisubband electron mobility in square-parabolic asymmetric double quantum well structure

著者 (3件)： Sahoo Narayan (Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Science and Technology, Palur Hills, Berhampur, 761 008, Odisha, India) ,  Panda Ajit K. (Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Science and Technology, Palur Hills, Berhampur, 761 008, Odisha, India) ,  Sahu Trinath (Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Science and Technology, Palur Hills, Berhampur, 761 008, Odisha, India)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 105  ページ： 11-21  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高多重サブバンド電子移動度μは対称平方二重量子井戸(SDQW)と放物型二重量子井戸(PDQW)構造のそれに比べてAl-Ga-Asを基本とするハイブリッド型正方形放物面非対称二重量子井戸(HDQW)で達成できることを示した。μ(HDQW)>μ(PDQW)>μ(SDQW)ことを示した。μの増強におけるこの傾向は主にイオン化不純物散乱ポテンシャルの変化によって支配される。HDQWの移動度は井戸幅,放物線ポテンシャルの曲率を増加させることによって向上させることができる。さらに,放物線形井戸は界面粗さ散乱の効果の低下による表面側のそれと比較して,基板側にある場合μ(HDQW)が大きくなる。移動度も表面電子密度N_の増加とともに増加した。HDQWにおけるμの増大は,サブバンド波動関数の非対称分布によるサブバンド間散乱速度行列要素の減少のためである。我々の結果は,非対称二重量子井戸電界効果トランジスタを開発するために利用することができる。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *移動度 ,  波動関数 ,  電子密度 ,  不純物 ,  FET【トランジスタ】 ,  曲率 ,  *多重化 ,  *非対称性 ,  *量子井戸 ,  散乱 ,  *対称性 ,  イオン化
準シソーラス用語： *電子移動度 ,  *サブバンド ,  *二重量子井戸 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 多サブバンド電子移動度 ,  二重正方形放物線形量子井戸 ,  サブバンド間散乱

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： 非対称 ,  二重量子井戸 ,  多重 ,  サブバンド ,  電子移動度