文献

J-GLOBAL ID：201802267286246926   整理番号：18A0401456

CdSナノ粒子の非常に鋭い閃亜鉛鉱型ウルツ鉱型相転移【Powered by NICT】

Very sharp zinc blende-wurtzite phase transition of CdS nanoparticles

著者 (6件)： Marquez-Marin J. (Centro de Investigacion y de Estudios Avanzados del I. P. N., Unidad Queretaro, A.P. 1-798, Queretaro, Qro., 76001, Mexico) ,  Torres-Castanedo C.G. (Depto. de Fisica, Centro de Investigacion y de Estudios Avanzados del I.P.N., A.P. 14-740, Mexico, D.F., 07360, Mexico) ,  Torres-Delgado G. (Centro de Investigacion y de Estudios Avanzados del I. P. N., Unidad Queretaro, A.P. 1-798, Queretaro, Qro., 76001, Mexico) ,  Aguilar-Frutis M.A. (Centro de Investigacion en Ciencia Aplicada y Tecnologia Avanzada del I.P.N., Mexico, D.F., 11500, Mexico) ,  Castanedo-Perez R. (Centro de Investigacion y de Estudios Avanzados del I. P. N., Unidad Queretaro, A.P. 1-798, Queretaro, Qro., 76001, Mexico) ,  Zelaya-Angel O. (Depto. de Fisica, Centro de Investigacion y de Estudios Avanzados del I.P.N., A.P. 14-740, Mexico, D.F., 07360, Mexico)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 102  ページ： 442-450  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 6 20nmのサイズ範囲の,カドミウム硫化物ナノ粒子は,マイクロ波支援化学浴合成により60 97°Cの成長温度(T_b)間隔でガラス基板上に作製した。ナノ粒子サイズは,浴温度により制御した。,X線回折パターンで見られ,結晶相はT_b範囲に依存する。間隔60≦T_b≦93°Cおよび95≦T_b≦97°Cでは,格子は立方晶閃亜鉛鉱型(ZB)と六方晶ウルツ鉱型(W)であった。T_b=94°C,転移の臨界温度(T_bc)では,膜は立方晶相と六方晶相の結晶を持っている。膜は基板にW,perpendicularsのZBと(002)(111)の優先配向で成長した。格子面間隔は格子はT_bcに近い領域におけるT_bで成長させた膜における(111)方向に沿った一軸収縮を経験することを示した。Raman測定は,他の方向におけるLOの軟化を明らかにした。格子上のこの圧縮はおそらくT_bc周りの閃亜鉛鉱型ウルツ鉱型相変態に起因するCd空格子点とCd格子間原子の生成に起因する。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 優先配向 ,  立方晶系 ,  *相転移 ,  カドミウム ,  六方晶系 ,  格子間原子 ,  *閃亜鉛鉱 ,  臨界温度 ,  面間隔 ,  *ナノ粒子 ,  マイクロ波
準シソーラス用語： 六方晶相 ,  結晶相 ,  ガラス基板 ,  *ウルツ鉱 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 硫化カドミウム ,  Nanoparticles ,  相変態 ,  光学的性質 ,  Raman分光法

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： CdSナノ粒子 ,  閃亜鉛鉱 ,  ウルツ鉱 ,  相転移