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J-GLOBAL ID:201802267302631790   整理番号:18A0384975

ZnO(0001 )上のAg薄膜成長のための臨界島構造サイズ【Powered by NICT】

Critical island size for Ag thin film growth on ZnO (000 1 )
著者 (3件):
資料名:
巻: 393  ページ: 22-25  発行年: 2017年 
JST資料番号: H0899A  ISSN: 0168-583X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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ZnO上の島成長のAgは臨界島構造サイズを近似する新しい手法の開発を研究した。Agは,成長したAgのZnO表面または初期単分子層上の三高度に対称的な部位の一つに結合することを示した。これににより,初期成長相を調べるために使用している格子に基づく適応速度論Monte Carlo(LatAKMC)法。島形成は一般的に文献で報告されているとして,完全な極性ZnO表面上のAg島とZnO表面上に成長させたAgの第一単分子層の臨界島構造サイズを考慮した。島を低下しへのAg吸着原子の平均時間を計算するために使われる平均速度アプローチ,そこでは,同じ島の堆積速度と比較した。結果はZnO(0001 )上のAgはStranski-Krastanov(層+島)成長を示すであろうことを示唆した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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半導体薄膜  ,  イオンとの相互作用 

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