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J-GLOBAL ID：201802267338811215   整理番号：18A0860727

実用的スイッチング動作下のハイブリッドドレイン埋め込みゲート注入トランジスタ(HD-GIT)の寿命評価【JST・京大機械翻訳】

Lifetime evaluation for Hybrid-Drain-embedded Gate Injection Transistor (HD-GIT) under practical switching operations

著者 (10件)： Ikoshi Ayanori (Automotive and Industrial Systems Company, Panasonic Corporation, 1-10-12, Yagumo-higashi-machi, Moriguchi City, Osaka, Japan 570-0021) ,  Toki Masahiro (Automotive and Industrial Systems Company, Panasonic Corporation, 1-10-12, Yagumo-higashi-machi, Moriguchi City, Osaka, Japan 570-0021) ,  Yamagiwa Hiroto (Automotive and Industrial Systems Company, Panasonic Corporation, 1-10-12, Yagumo-higashi-machi, Moriguchi City, Osaka, Japan 570-0021) ,  Arisawa Daijiro (Automotive and Industrial Systems Company, Panasonic Corporation, 1-10-12, Yagumo-higashi-machi, Moriguchi City, Osaka, Japan 570-0021) ,  Hikita Masahiro (Automotive and Industrial Systems Company, Panasonic Corporation, 1-10-12, Yagumo-higashi-machi, Moriguchi City, Osaka, Japan 570-0021) ,  Suzuki Kazuki (Automotive and Industrial Systems Company, Panasonic Corporation, 1-10-12, Yagumo-higashi-machi, Moriguchi City, Osaka, Japan 570-0021) ,  Yanagihara Manabu (Automotive and Industrial Systems Company, Panasonic Corporation, 1-10-12, Yagumo-higashi-machi, Moriguchi City, Osaka, Japan 570-0021) ,  Uemoto Yasuhiro (Automotive and Industrial Systems Company, Panasonic Corporation, 1-10-12, Yagumo-higashi-machi, Moriguchi City, Osaka, Japan 570-0021) ,  Tanaka Kenichiro (Automotive and Industrial Systems Company, Panasonic Corporation, 1-10-12, Yagumo-higashi-machi, Moriguchi City, Osaka, Japan 570-0021) ,  Ueda Tetsuzo (Automotive and Industrial Systems Company, Panasonic Corporation, 1-10-12, Yagumo-higashi-machi, Moriguchi City, Osaka, Japan 570-0021)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： IRPS  ページ： 4E.2-1-4E.2-7  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 連続スイッチング動作の下でのGaNベースのハイブリッド-ドレイン埋め込みゲート注入トランジスタ(HD-GIT)の信頼性を,実用的なスイッチング応用の下で寿命を抽出するために研究した。スイッチング寿命を,それらの対応する加速度因子を得るために,周囲温度,スイッチング電圧およびスイッチング電流を変化させることによって推論した。得られた因子に基づいて,著者らは,デバイスが安全にスイッチできるI_ds-V_ds領域を定義するために最近提案されたスイッチング安全動作領域(SSOA)を決定した。著者らの知る限り,これはGaNパワートランジスタに対するSSOAの最初の実証である。著者らは,HD-GITsが典型的な使用条件の下で3kWの極電力因子補正(PFC)回路で使用されるとき,スイッチング寿命を推定する。推定寿命は24年で,十分長い。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,  電圧 ,  *トランジスタ ,  電力トランジスタ ,  安全性 ,  *スイッチ ,  *寿命評価 ,  加速度 ,  *スイッチング ,  電力 ,  信頼性
準シソーラス用語： 安全動作領域 ,  スイッチング電流 ,  周囲温度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 高分子材料一般  (YH07010B) ,  継電器・スイッチ  (NA05060K) ,  抵抗性  (YH02050K) ,  電子・磁気・光学記録  (NC06020F) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (9件)： スイッチング ,  ドレイン ,  埋め込み ,  ゲート ,  注入 ,  トランジスタ ,  HD ,  Git ,  寿命評価