文献

J-GLOBAL ID：201802267354938460   整理番号：18A0439701

高電圧電流スイッチの設計,パッケージ,とハードウェア検証【Powered by NICT】

Design, Package, and Hardware Verification of a High-Voltage Current Switch

著者 (8件)： De Ankan (Texas Instruments, Bethlehem, PA, USA) ,  Morgan Adam J. (NSF FREEDM Systems Center, North Carolina State University, Raleigh, NC, USA) ,  Mahadeva Iyer Vishnu (NSF FREEDM Systems Center, North Carolina State University, Raleigh, NC, USA) ,  Ke Haotao (NSF FREEDM Systems Center, North Carolina State University, Raleigh, NC, USA) ,  Zhao Xin (NSF FREEDM Systems Center, North Carolina State University, Raleigh, NC, USA) ,  Vechalapu Kasunaidu (NSF FREEDM Systems Center, North Carolina State University, Raleigh, NC, USA) ,  Bhattacharya Subhashish (NSF FREEDM Systems Center, North Carolina State University, Raleigh, NC, USA) ,  Hopkins Douglas C. (NSF FREEDM Systems Center, North Carolina State University, Raleigh, NC, USA)
資料名： IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics  (IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics)
巻： 6  号： 1  ページ： 441-450  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2402A  ISSN： 2168-6777  CODEN： IJESN2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HV電流スイッチを形成するための直列接続高電圧(HV)ケイ素(Si)-IGBT(6500-V/25金型)と炭化けい素接合障壁Schottkyダイオード(6500V/25金型)における種々の電気的とパッケージ設計考察を示した。直列ダイオードの陰極を結ぶIGBTコレクタ対,直列ダイオードのアノードにIGBTエミッタの効果は,寄生インダクタンスを最小化に関して解析した。最適化パッケージ構造を論じ,HV電流スイッチモジュールを実験室で作製したカスタムである。高電圧二重パルス試験回路を用いて電流スイッチモジュールのスイッチング性能を検証することである。低電圧と高電圧変換器のプロトタイプは同じの熱安定性を確実にするために開発し,試験した。本論文の主な動機は,HV電流スイッチを包装のための詳細な設計上の考慮事項を列挙した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 熱安定性 ,  カソード ,  アノード ,  ダイオード ,  接合 ,  炭化ケイ素 ,  変換器 ,  最適化 ,  プロトタイプ ,  Schottky障壁ダイオード ,  直列接続 ,  *電流 ,  IGBT
準シソーラス用語： 低電圧 ,  *電流スイッチ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 電力変換器  (NB08030B) ,  太陽光発電  (NB03090G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高電圧 ,  電流スイッチ ,  設計 ,  パッケージ ,  ハードウェア ,  検証