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J-GLOBAL ID：201802267366121695   整理番号：18A2161157

シンクロトロン放射X線光電子分光法により研究したAl_2O_3層堆積NOとSO_2露出(001)H-ダイヤモンドのヘテロ界面のバンド整列【JST・京大機械翻訳】

Band Alignment of Al₂O₃ Layer Deposited NO and SO₂ Exposed (001) H-Diamond Heterointerfaces Studied by Synchrotron Radiation X-Ray Photoelectron Spectroscopy

著者 (4件)： Saha Niloy C. (Department of Electrical and Electronic Engineering, Saga University, Saga 840-8502, Japan) ,  Takahashi Kazutoshi (Synchrotron Light Application Center, Saga University, Saga 840-8502, Japan) ,  Imamura Masaki (Synchrotron Light Application Center, Saga University, Saga 840-8502, Japan) ,  Kasu Makoto (Department of Electrical and Electronic Engineering, Saga University, Saga 840-8502, Japan)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 215  号： 22  ページ： e1800237  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シンクロトロン放射X線光電子分光法(XPS)およびX線吸収端近傍構造(XANES)測定を用いて,NOまたはSO_2に暴露されたH終端ダイヤモンドとAl_2O_3層の間の界面エネルギーバンドアラインメントを研究した。結果から,タイプIIバンド配列をAl_2O_3/NO/H-ダイヤモンドとAl_2O_3/SO_2/H-ダイヤモンドヘテロ界面の両方に対して決定した。価電子帯オフセットはAl_2O_3/NO/H-ダイヤモンドヘテロ界面に対して3.7eV,Al_2O_3/SO_2/H-ダイヤモンドヘテロ界面に対して3.5±0.1eVと決定された。XPSスペクトルは,NOとSO_2がH-ダイヤモンド表面上で分解し,XANES測定が酸素関連界面状態の形成を示すことを示した。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： オフセット ,  *界面 ,  表面エネルギー ,  *X線光電子分光法 ,  *X線光電子スペクトル ,  *シンクロトロン放射 ,  スペクトル ,  X線吸収端 ,  XANES ,  *露光 ,  表面準位 ,  *ダイヤモンド ,  価電子バンド
準シソーラス用語： *バンドアライメント ,  *ヘテロ界面 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： バンドアラインメント ,  H-ダイヤモンド ,  界面 ,  シンクロトロン放射

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

タイトルに関連する用語 (8件)： シンクロトロン放射X線 ,  光電子分光法 ,  研究 ,  堆積 ,  NO ,  ダイヤモンド ,  ヘテロ界面 ,  バンド整列