文献

J-GLOBAL ID：201802267382168141   整理番号：18A0243031

ディジタルCMOSプロセスによるミリ波集積回路のための非干渉化構造【Powered by NICT】

Decoupling Structures for Millimeter Wave Integrated Circuits in Digital CMOS Processes

著者 (3件)： Wu Kefei (Department of Electrical, Computer and Systems Engineering, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, NY, USA) ,  Muralidharan Sriram (Analog Devices Inc., Beaverton, OR, USA) ,  Hella Mona Mostafa (Department of Electrical, Computer and Systems Engineering, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, NY, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 65  号： 2  ページ： 788-792  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： はミリ波帯で動作するシングルエンド回路の性能に及ぼす非理想分離構造の影響を調べた。一次近似に基づいて,分離構造のインピーダンスの上限を導出し,挿入損失の事前の容認される劣化を示した。解析を検証するために,分散interdigitized金属-酸化物-金属キャパシタに基づく小型デカップリング構造を有する110GHzシングルエンド増幅器を実現した。デカップリング構造の全波電磁シミュレーションは110GHzで(0.47 j0 12)Ωの入力インピーダンスを示し,大きさは82から144GHzまで1 Ω以下であった。整合回路網の挿入損失の劣化は,110GHzでの理想的なデカップリングキャパシタの利用と比較して0.5dB以下であることをシミュレートした。65nmディジタルCMOSプロセスで実行した場合のデカップリング構造の面積は18×100 μm~2であった。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 増幅器 ,  *EHF波 ,  *干渉 ,  挿入損 ,  近似法 ,  コンデンサ ,  デカップリング ,  酸化物 ,  インピーダンス ,  入力インピーダンス ,  *ディジタル方式
準シソーラス用語： デカップリングキャパシタ ,  整合回路網 ,  *ミリ波集積回路 ,  *CMOSプロセス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： ディジタル ,  CMOSプロセス ,  ミリ波集積回路 ,  干渉