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J-GLOBAL ID：201802267460621556   整理番号：18A0968007

ロバストなCs_2Te被覆を持つ負電子親和性GaAs光電陰極に基づく頑丈なスピン分極電子源【JST・京大機械翻訳】

Rugged spin-polarized electron sources based on negative electron affinity GaAs photocathode with robust Cs₂Te coating

著者 (4件)： Bae Jai Kwan (Cornell Laboratory for Accelerator-Based Sciences and Education, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA) ,  Cultrera Luca (Cornell Laboratory for Accelerator-Based Sciences and Education, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA) ,  DiGiacomo Philip (Cornell Laboratory for Accelerator-Based Sciences and Education, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA) ,  Bazarov Ivan (Cornell Laboratory for Accelerator-Based Sciences and Education, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 112  号： 15  ページ： 154101-154101-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 長い操作寿命を有する高強度で高スピン偏極電子ビームを提供することができる光電陰極は,電子イオン衝突器のような次世代核物理施設にとって非常に興味が持たれている。Cs_2Teにより活性化されたGaAs光電陰極について報告する。Cs_2Teによって活性化されたGaAsは負の電子親和性を形成し,抽出された電荷の寿命はCsとO_2によって活性化されたGaAsのそれと比較して5倍改善される。光電子のスピン分極をMott偏光計を用いて測定し,活性化法とは独立であることが分かった。これにより,強い被覆をもつ光電陰極を用いたスピン分極電子源に関するパラダイムをシフトさせた。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *電子親和力 ,  *セシウム ,  *電子源 ,  電子ビーム ,  光電子 ,  *ヒ化ガリウム ,  核物理学 ,  イオン衝突 ,  偏光計 ,  *被覆 ,  *スピン分極 ,  *ロバスト性 ,  *光電陰極
準シソーラス用語： 高強度 ,  *負電子親和力 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 光電子放出  (BM09030D)

タイトルに関連する用語 (6件)： ロバスト ,  負電子親和性 ,  GaAs ,  光電陰極 ,  スピン分極 ,  電子源