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J-GLOBAL ID：201802267527171844   整理番号：18A1023389

二次元固有二重金属強磁性半導体MnCoO_4の理論的予測【JST・京大機械翻訳】

Theoretical prediction of a two-dimensional intrinsic double-metal ferromagnetic semiconductor MnCoO₄

著者 (3件)： Xiao Tiantian (Department of Chemistry, Capital Normal University, Beijing 100048, China) ,  Wang Guo (Department of Chemistry, Capital Normal University, Beijing 100048, China) ,  Liao Yi (Department of Chemistry, Capital Normal University, Beijing 100048, China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 450  ページ： 422-428  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元二重金属酸化物MnCoO_4は,密度汎関数理論を用いることにより真性強磁性半導体であると予測された。グラフェンのそれに類似する低い開裂エネルギー0.36J m-2は容易に剥離できることを示した。バルク構造は反強磁性基底状態を持つが,強磁性配置は二次元構造における二つの反強磁性と三つのフェリ磁性配置に対する基底状態である。価電子帯と伝導帯のスピンフリップギャップは,室温での熱エネルギーよりはるかに大きい,HSE06密度汎関数で計算した0.41と0.10eVであった。モンテカルロシミュレーションから得られたCurie温度は40Kである。9%の引張歪下では,スピンフリップは大きく増加し,スピンフリップは抑制される。MnとCo原子間の直接反強磁性結合は大きく減少し,一方,O原子によって媒介された2つのMnまたは2つのCo原子間の間接的強磁性結合は延伸構造ではあまり減少しなかった。Curie温度は230Kに上昇し,乾燥氷温度より高い。さらに,フォノン分散は,MnCoO_4が引張歪下でも安定であることを示した。したがって,二次元MnCoO_4は低次元スピントロニクスのための良い候補である。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *二次元 ,  スピントロニクス ,  *強磁性 ,  伝導バンド ,  *マンガン ,  グラフェン ,  密度汎関数法 ,  価電子バンド ,  *強磁性半導体 ,  反強磁性 ,  Curie温度 ,  基底状態
準シソーラス用語： スピンフリップ ,  引張歪 ,  モンテカルロシミュレーション , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： MnCoO_4 ,  強磁性半導体 ,  Curie温度 ,  へき開エネルギー ,  密度汎関数理論

分類 (4件)： 表面の電子構造  (BM02080J) ,  その他の触媒  (CB06123Z) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 固有 ,  重金属 ,  強磁性半導体 ,  理論 ,  予測