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J-GLOBAL ID：201802267611515634   整理番号：18A1651812

ハーフホイスラー化合物RuVX(X=As,P,Sb)の構造,機械的,電子的および熱電的性質の第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

First-principles investigation of structural, mechanical, electronic, and thermoelectric properties of Half-Heusler compounds RuVX (X=As, P, and Sb)

著者 (8件)： Chibani S. (Technology Laboratory of Communication, University of Saieda Dr. Tahar Moulay, 20000, Saida, Algeria) ,  Arbouche O. (Laboratory Physico-Chemistry of Advanced Materials, Djillali Liabes University of Sidi Bel-Abbes, 22000, Sidi Bel-Abbes, Algeria) ,  Zemouli M. (Laboratory of Physico-Chemical Studies, University of Saieda Dr. Tahar Moulay, 20000, Saida, Algeria) ,  Benallou Y. (Technology Laboratory of Communication, University of Saieda Dr. Tahar Moulay, 20000, Saida, Algeria) ,  Amara K. (Laboratory of Physico-Chemical Studies, University of Saieda Dr. Tahar Moulay, 20000, Saida, Algeria) ,  Chami N. (Department of Electronics, Faculty of Technology, University of Saieda Dr. Tahar Moulay, 20000, Saida, Algeria) ,  Ameri M. (Laboratory Physico-Chemistry of Advanced Materials, Djillali Liabes University of Sidi Bel-Abbes, 22000, Sidi Bel-Abbes, Algeria) ,  El Keurti M. (Laboratory of Physico-Chemical Studies, University of Saieda Dr. Tahar Moulay, 20000, Saida, Algeria)
資料名： Computational Condensed Matter  (Computational Condensed Matter)
巻： 16  ページ： ROMBUNNO.2018.e00312  発行年： 2018年 
JST資料番号： W3478A  ISSN： 2352-2143  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： RuVX(As,P,およびSb)Half-Heusler化合物の構造,機械的,電子的および輸送特性を研究した。Wien2kコードに統合されたフルポテンシャル線形化増強平面波FP-LAPW法に基づく密度汎関数理論(DFT)を用いた。構造特性と機械的パラメータを,一般化勾配近似(GGA-PBEゾル)の平均によって実行した。計算した格子定数は実験データおよび他の理論的報告と良く一致した。付加において,弾性定数と関連弾性係数は,RuVX(As,P,およびSb)化合物が延性で,立方相で機械的に安定であることを示した。修正Becke-Johnsonポテンシャル(TB-mBJ)を適用して,電子特性の計算を強化した。RuVX(As,P,Sb)化合物は間接バンドギャップを持つ半導体であることが分かった。GGA+U計算を行い,バンドギャップとHubbardポテンシャルの間の関係を調べた。熱電気的性質の研究を,Boltzmann輸送方程式により,BoltzTraPコードに組み込まれた。室温で,RuVAs,RuVP,およびRuVSb化合物の性能指数(ZT)の値は約1であり,すべての化合物が良好な輸送効率を有し,電気生産と熱電素子に利用できることを確認した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 性能指数 ,  *アンチモン ,  半導体 ,  弾性係数 ,  平面波 ,  計算 ,  *第一原理 ,  パラメータ ,  密度汎関数法 ,  延性 ,  バンドギャップ ,  格子定数
準シソーラス用語： 間接バンドギャップ ,  一般化勾配近似 ,  輸送特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 構造 ,  機械 ,  電子 ,  輸送 ,  半ホイスラー化合物 ,  性能指数の指数

分類 (5件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  分子の電子構造  (BH05010Q) ,  塩  (CD01050V) ,  固相転移  (BL04020G) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (6件)： ホイスラー化合物 ,  Sb ,  電子 ,  性質 ,  第一原理 ,  研究