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J-GLOBAL ID：201802267898751294   整理番号：18A1720878

RHEEDにおける再構成結晶面上の回折波形成の幾つかの幾何学的側面【JST・京大機械翻訳】

Some geometrical aspects of diffracted waves formation on a reconstructed crystal face at RHEED

著者 (3件)： Vasev A.V. (Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, Laboratory of Physical Bases of Semiconductor Heterostructures Epitaxy, Acad. Lavrentiev Avenue, 13, Novosibirsk 630090, Russia) ,  Putyato M.A. (Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, Laboratory of Physical Bases of Semiconductor Heterostructures Epitaxy, Acad. Lavrentiev Avenue, 13, Novosibirsk 630090, Russia) ,  Preobrazhenskii V.V. (Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, Laboratory of Physical Bases of Semiconductor Heterostructures Epitaxy, Acad. Lavrentiev Avenue, 13, Novosibirsk 630090, Russia)
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 677  ページ： 306-315  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 再構成遷移の間のRHEED反射強度の発展は,表面状態変化の特異性を特徴付ける(しばしば暗黙的に)再構成される。本研究では,再構成遷移速度論に関する情報を得ることを目的とした正しいRHEEDデータ解釈のアプローチを考察した。特に,再構成ドメインの平均サイズと面積単位当たりのそのようなドメインの数のようなパラメータに依存するRHEED反射形成の性質を回折理論の運動学的近似の範囲内で解析した。JMAKモデルとの複合体におけるこの幾何学的記述は,再構成遷移機構とパラメータを解析する便利で有効な(生産的)方法である。これらのドメイン平均サイズと分布密度の変化において,測定値(RHEEDパターン反射強度)と再構成ドメインによる表面被覆度の間の関数依存性の変換を示した。得られた実験結果により理論的結論の正当性を確認し,既知の文献データと良く一致した。本研究は,そのようなタイプの理論的研究のための有用な枠組みを持つコミュニティを提供する。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 近似法 ,  複合体 ,  コミュニティ ,  回折 ,  *再構成 ,  表面被覆 ,  *結晶面 ,  速度論 ,  関数従属 ,  *RHEED ,  表面再構成
準シソーラス用語： 回折理論 ,  ドメイン構造 ,  特異性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 反射高エネルギー電子回折 ,  運動学的近似 ,  表面再構成 ,  RHEED反射強度形成

分類 (3件)： 固-気界面一般  (CB12041H) ,  半導体の表面構造  (BK15030A) ,  物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

タイトルに関連する用語 (4件)： RHEED ,  再構成 ,  結晶面 ,  幾何学