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J-GLOBAL ID：201802267937939123   整理番号：18A0729210

低電力および高速埋め込みダイナミックランダムアクセスメモリのための新しいFET【JST・京大機械翻訳】

Emerging FETs for Low Power and High Speed Embedded Dynamic Random Access Memory

著者 (4件)： Ansari Md. Hasan Raza ,  Navlakha Nupur ,  Lin Jyi-Tsong ,  Kranti Abhinav
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： VLSID  ページ： 422-427  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2つの新しいデバイス,すなわちトンネル電界効果トランジスタ(TFET)と無接合トランジスタ(JLT)の評価に関する研究報告は,85°Cでの低電力と高速埋込み動的ランダムアクセスメモリ(eDRAM)としての適用性について報告した。独立ゲート動作であるDRAM機能の重要な側面を,TFETとJLTにおけるツイン/デュアルアーキテクチャを通して実現した。第一(フロント)ゲートは主にバンド間トンネリング(TFET)とドリフト拡散メカニズム(JLT)に基づく読出し動作を制御するが,第二ゲートは両デバイスにおける電荷蓄積の原因となる。短時間での書込み操作によるTFETとJLTの能力。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 適応性 ,  接合形トランジスタ ,  帯電 ,  *DRAM ,  *高速度
準シソーラス用語： トンネル電界効果トランジスタ ,  *低電力化 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 低電力 ,  埋め込み ,  ダイナミックランダムアクセスメモリ ,  FET