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J-GLOBAL ID:201802267962980254   整理番号:18A0237170

18.1dBmのピーク1dB圧縮出力を持つ低群遅延変動3 10GHz,65nm CMOS積層電力増幅器【Powered by NICT】

Low group delay variation 3-10 GHz 65 nm CMOS stacked power amplifier with 18.1 dBm peak 1 dB compression output power
著者 (5件):
資料名:
巻: 60  号:ページ: 400-405  発行年: 2018年 
JST資料番号: T0712A  ISSN: 0895-2477  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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65nmCMOSバルク技術における低群遅延変動と18.1dBmのピーク1dB圧縮出力電力(P_1dB)3 10GHz積層電力増幅器(PA)を提示した。S,C及びXバンドに位置する3 10GHz周波数範囲で動作する超広帯域またはマルチバンド通信,センシング,及び計装システムを意図している。積層トランジスタ4Vという高い供給電圧を可能にする高1dB圧縮出力電力を達成するためにに基づいて,その設計について詳述した。3 10GHz帯において,提案したPAは12.65±1.25dB,16±2.1dBm,および20.15±7.55%の測定された利得,P_1dB,および最大電力付加効率(PAE_max)を提供した。添加では,動作の周波数範囲で,このPAは±21.55psの優れた測定グループ遅延変動を達成した。著者の知る限りでは,この広帯域PAはこの周波数範囲の動作の最小群遅延変動を提供する。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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アンテナ  ,  その他の伝送回路素子 
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