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J-GLOBAL ID:201802268010739977   整理番号:18A1035064

CeドープSiO_2の電子構造と光学特性の第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

First principle study of electronic structures and optical properties of Ce-doped SiO2
著者 (4件):
資料名:
巻:号:ページ: 055125-055125-6  発行年: 2018年 
JST資料番号: U7121A  ISSN: 2158-3226  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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セリウム(Ce)ドーパントの有無による二酸化ケイ素(SiO_2)系の電子構造と光学特性を密度汎関数理論を用いて計算した。Ce取り込み後に,新しい局在不純物バンドが,主にCe-4f軌道により誘起される,SiO_2系の価電子帯最大(VBM)と伝導帯極小(CBM)の間に現れることを見出した。局在不純物バンドは価電子帯と伝導帯の間のブリッジを構築し,電子遷移を非常に容易にする。計算した光学特性から,純粋なSiO_2試料とは対照的に,CeドープSiO_2系では可視光領域での吸収が見られ,Ce-4f状態からCe-5d状態への電子遷移だけでなく価電子帯Ce-4f支配不純物バンド間の遷移に起因することが分かった。すべての計算結果は,CeドーピングがSiO_2サンプルの光学性能を改善する有効な戦略であり,実験結果と一致することを示した。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
電子分光スペクトル  ,  酸化物薄膜  ,  半導体結晶の電子構造 

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