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J-GLOBAL ID：201802268075923628   整理番号：18A1777749

高性能相補回路に向けた原子層蒸着MgOによる黒リンの効率的で信頼できる表面電荷移動ドーピング【JST・京大機械翻訳】

Efficient and reliable surface charge transfer doping of black phosphorus via atomic layer deposited MgO toward high performance complementary circuits

著者 (11件)： Liao Wugang (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, 4 Engineering Drive 3, 117583 Singapore. [e-mail] [e-mail]) ,  Wang Lin ,  Chen Li ,  Wei Wei ,  Zeng Zhe ,  Feng Xuewei ,  Huang Li ,  Tan Wee Chong ,  Huang Xin ,  Ang Kah Wee ,  Zhu Chunxiang
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 10  号： 36  ページ： 17007-17014  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 急速に出現する2D材料である黒リン(BP)は,大きなバンドギャップと両極性輸送特性を含む優れた特性のため,将来のエレクトロニクスとオプトエレクトロニクスにおいて大きな可能性を示している。しかし,正孔移動度が非常に大きく,電子のそれよりも対応するオン電流によって特徴づけられる正孔伝導の優位性は,そのキャリアタイプと密度の信頼できる変調をもたらし,そのため,相補的エレクトロニクスへの応用を妨げる。ここでは,良好な制御性を有する原子層堆積酸化マグネシウム(MgO)による表面機能化を介したBPトランジスタのための効率的で信頼性のあるn型ドーピングを実証した。MgOの厚さを最適化することにより,最大95.5cm~2V~-1s-1の電子移動度が,正孔伝導の同時の顕著な抑制により達成された。続いて,高性能相補論理インバータを単一BPフレーク内で実証し,それは<0.5Vの低い供給電圧で良く動作し,論理レベル整合,電力消費およびプロセス実現可能性に関して報告されたBPインバータより優れている。これらの知見は,MgOによる表面電荷移動ドーピングが,高性能BPベース機能性ナノエレクトロニクスに向けた有望な技術として使用できることを示唆している。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  正孔 ,  電流 ,  トランジスタ ,  *酸化マグネシウム ,  *ドーピング ,  電子技術 ,  オプトエレクトロニクス ,  高速度 ,  フレーク ,  *黒リン ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 電子移動度 ,  ナノエレクトロニクス ,  両極性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (8件)： 高性能 ,  相補回路 ,  原子層蒸着 ,  MgO ,  黒リン ,  信頼 ,  表面電荷 ,  ドーピング