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J-GLOBAL ID：201802268311413007   整理番号：18A0722189

ドープしたアームチェア型グラフェンナノリボンにおけるバンド内およびバンド間プラズモンモードについて【JST・京大機械翻訳】

On the intra- and interband plasmon modes in doped armchair graphene nanoribbons

著者 (4件)： Hoi Bui Dinh (Institute of Research and Development, Duy Tan University, 03 Quang Trung, Da Nang, Viet Nam) ,  Hoi Bui Dinh (Department of Physics, Hue University’s College of Education, 34 Le Loi, Hue City, Viet Nam) ,  Davoudiniya Masoumeh (Young Researchers and Elite Club, South Tehran Branch, Islamic Azad University, Tehran, Iran) ,  Yarmohammadi Mohsen (Young Researchers and Elite Club, Kermanshah Branch, Islamic Azad University, Kermanshah, Iran)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 113  ページ： 576-584  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 簡単な強束縛ハミルトニアンとGreen関数法の助けを借りて,半導体と金属アームチェア型グラフェンナノリボンのバンド間プラズモンモードが,幅,化学ドーピング,入射運動量方向によってどのように影響されるかを調べた。特に,系が光子または電子に曝されたときの周波数依存磁化率の挙動を調べた。ドーピングによる電子注入は,半導体の場合のこれらの遷移に対するリボン幅の効果が金属の場合よりもはるかに敏感である,バンド内遷移に対応する価電子帯と伝導帯の間の新しい状態により新しい集団モードを生成する。さらに,バンド間モードとバンド間モードの両方に対するいくつかの臨界化学ポテンシャルと運動量の値は,共鳴ピークに対して異なる挙動をもたらす。もう一つの注目すべき点は,入射運動量の方向に対するバンド内プラズモンの高感度である。特に,ドープしたナノリボンの磁化率は垂直方向に消失し,すなわち,バンド内プラズモンは消失した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 運動量 ,  磁化率 ,  半導体 ,  価電子バンド ,  伝導バンド ,  化学ポテンシャル ,  Green関数 ,  周波数依存性 ,  ハミルトニアン ,  *プラズモン ,  *ドーピング
準シソーラス用語： *ナノリボン ,  集団モード ,  *プラズモンモード ,  *グラフェンナノリボン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 強束縛近似 ,  グリーン関数 ,  プラズモンモード ,  バンド内遷移とバンド間遷移 ,  アームチェア型グラフェンナノリボン

分類 (5件)： 固体プラズマ  (BM02160W) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H) ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  半導体の可視・紫外スペクトル  (BM08083Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： ドープ ,  グラフェンナノリボン ,  バンド ,  プラズモンモード