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J-GLOBAL ID:201802268386148164   整理番号:18A1611539

開回路電圧と安定性を向上させた高効率でヒステリシスのない平面ペロブスカイト太陽電池(21.4%)のためのTiO_2ETLの表面工学【JST・京大機械翻訳】

Surface Engineering of TiO2 ETL for Highly Efficient and Hysteresis-Less Planar Perovskite Solar Cell (21.4%) with Enhanced Open-Circuit Voltage and Stability
著者 (5件):
資料名:
巻:号: 23  ページ: e1800794  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2778A  ISSN: 1614-6832  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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電子輸送層(ETL)上の界面研究とバンド配列工学は,高性能ペロブスカイト太陽電池(PSC)の作製に重要な役割を果たす。ここでは,TiO_2ETLとペロブスカイト吸収体の間のSnO_2(a-SnO_2)の非晶質層を挿入し,素子の電荷輸送特性を研究した。TiO_2コンパクト層(C-TiO_2)およびa-SnO_2ETLの二重層構造は,界面エネルギーの修正をもたらし,結果として,PSCにおける電荷収集の改善およびキャリア再結合の減少をもたらした。a-SnO_2/C-TiO_2ETLに基づく最適化したデバイスは,C-TiO_2ベースのデバイスに対する19.33%と比較して,21.4%の最大電力変換効率(PCE)を示した。さらに,この修飾素子は,電位が387mVの損失をもつ1.23Vの最大開回路電圧(V_oc)を示し,これはヒステリシスが無視できるPSCに対する最高の報告値の中にある。安定性の結果は,C-TiO_2/a-SnO_2上の素子が500hの光照射後にその初期PCE値の約91%を保持し,純粋なC-TiO_2(67%)ベースの素子より高いことを示した。興味深いことに,a-SnO_2/C-TiO_2ETLを用いて,PCE損失は,30時間後の連続UV光照射下での初期値のわずか10%であり,それは,C-TiO_2ベース素子(28%PCE損失)のものより高かった。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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太陽電池 

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