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J-GLOBAL ID：201802268465403317   整理番号：18A0910892

急峻なリンプロファイルソース接合を有するGe pチャネルトンネリングFET

Ge p-channel tunneling FETs with steep phosphorus profile source junctions

著者 (5件)： TAKAGUCHI Ryotaro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  MATSUMURA Ryo (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  KATOH Takumi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TAKENAKA Mitsuru (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TAKAGI Shinichi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 4S  ページ： 04FD10.1-04FD10.6  発行年： 2018年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 変化 ,  *リン ,  *不純物分布 ,  *ソース【半導体】 ,  ゲルマニウム ,  MOS構造 ,  *FET【トランジスタ】 ,  特性 ,  性能指数 ,  *RTA【熱処理】
準シソーラス用語： 急激変化 ,  PチャネルMOS ,  *トンネルFET ,  デバイス特性 ,  サブスレッショルドスイング

分類 (2件)： 界面の電気的性質一般  (BM03081H) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： Ge ,  チャネル ,  トンネリング ,  FET