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J-GLOBAL ID：201802268574886215   整理番号：18A1710274

Kamini原子炉で照射したシリコンPINダイオードの電流電圧特性【JST・京大機械翻訳】

Current-voltage characteristics of silicon PIN diodes irradiated in KAMINI nuclear reactor

著者 (4件)： Parida Manoj Kumar (Surface and Nanoscience Division, Materials Science Group, Indira Gandhi Centre for Atomic Research, HBNI, Kalpakkam 603102, India) ,  Tripura Sundari S. (Surface and Nanoscience Division, Materials Science Group, Indira Gandhi Centre for Atomic Research, HBNI, Kalpakkam 603102, India) ,  Sathiamoorthy V. (Technical Services Division, Reactors Facilities Group, Indira Gandhi Centre for Atomic Research, HBNI, Kalpakkam 603102, India) ,  Sivakumar S. (Technical Services Division, Reactors Facilities Group, Indira Gandhi Centre for Atomic Research, HBNI, Kalpakkam 603102, India)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section A. Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section A. Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment)
巻： 905  ページ： 129-137  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0208B  ISSN： 0168-9002  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究は,1×10~14~1×10~16n/cm2の範囲の中性子フルエンスに対して,典型的な熱原子炉-KAMINIで照射された市販の平面Si-PINダイオードの電流-電圧(I-V)特性の研究について報告する。未使用および中性子照射Si-PINダイオードのI-V特性を順方向および逆方向バイアス条件に対して周囲環境で測定した。順方向バイアス条件において,中性子照射フルエンスを増加させる結果の一つは,1×10~16n/cm2のフルエンスをもつ中性子照射ダイオードに対して,バージンダイオードに対する約0.5Vから37.4Vへの膝電圧の増加である。順方向特性の更なる解析により,未使用ダイオードに対する典型的な値から,最高照射ダイオード試料に対する約496の異常値への理想因子の増加を明らかにした。この増加は,ダイオードが照射を受ける中性子損傷の増加に起因する。さらに,逆バイアス条件では,逆漏れ電流は10~9から10~5アンペアまで4桁増加した。順方向と逆方向のI-V特性の定性解析は,ダイオードが中性子フルエンスの増加により整流からオーム挙動に変化することを示し,これは低電圧領域における順方向と逆方向電流の間のギャップの減少から推論された。定量的に,逆電流に対する順方向の整流比-比は,未処理および1×10~16n/cm2照射試料に対して,それぞれ10~8および84と計算された。逆バイアスI-V測定条件から評価した損傷定数は1.7683×10~18A/cmであることが分かった。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *PINダイオード ,  *電流電圧特性 ,  中性子フルエンス ,  バイアス ,  漏れ電流 ,  キャラクタリゼーション ,  *ダイオード ,  *電圧 ,  *電流 ,  中性子 ,  *ケイ素 ,  フルエンス ,  中性子照射
準シソーラス用語： 逆バイアス ,  理想因子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Si pinダイオード ,  中性子損傷 ,  理想因子 ,  整流比 ,  電気的キャラクタリゼーション

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  素粒子・核物理実験技術一般  (BE01010F)

タイトルに関連する用語 (4件)： 原子 ,  シリコン ,  PINダイオード ,  電流電圧特性