Parida Manoj Kumar について
Surface and Nanoscience Division, Materials Science Group, Indira Gandhi Centre for Atomic Research, HBNI, Kalpakkam 603102, India について
Tripura Sundari S. について
Surface and Nanoscience Division, Materials Science Group, Indira Gandhi Centre for Atomic Research, HBNI, Kalpakkam 603102, India について
Sathiamoorthy V. について
Technical Services Division, Reactors Facilities Group, Indira Gandhi Centre for Atomic Research, HBNI, Kalpakkam 603102, India について
Sivakumar S. について
Technical Services Division, Reactors Facilities Group, Indira Gandhi Centre for Atomic Research, HBNI, Kalpakkam 603102, India について
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section A. Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment について
PINダイオード について
電流電圧特性 について
中性子フルエンス について
バイアス について
漏れ電流 について
キャラクタリゼーション について
ダイオード について
電圧 について
電流 について
中性子 について
ケイ素 について
フルエンス について
中性子照射 について
逆バイアス について
理想因子 について
Si pinダイオード について
中性子損傷 について
理想因子 について
整流比 について
電気的キャラクタリゼーション について
半導体の放射線による構造と物性の変化 について
素粒子・核物理実験技術一般 について
原子 について
シリコン について
PINダイオード について
電流電圧特性 について