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J-GLOBAL ID：201802268703005171   整理番号：18A0616132

CrSiWの焼結挙動に及ぼす温度,圧力,焼結時間およびSi/W比との間の相互作用の検討【Powered by NICT】

An examination of interactions between temperature, pressure, sintering time, and Si/W ratio on the sintering behavior of CrSiW

著者 (4件)： Tillmann Wolfgang (Institute of Materials Engineering, TU Dortmund University, Leonhard-Euler-Str. 2, 44227 Dortmund, Germany) ,  Fehr Alexander (Institute of Materials Engineering, TU Dortmund University, Leonhard-Euler-Str. 2, 44227 Dortmund, Germany) ,  Ferreira Manuel (Institute of Materials Engineering, TU Dortmund University, Leonhard-Euler-Str. 2, 44227 Dortmund, Germany) ,  Stangier Dominic (Institute of Materials Engineering, TU Dortmund University, Leonhard-Euler-Str. 2, 44227 Dortmund, Germany)
資料名： International Journal of Refractory Metals & Hard Materials  (International Journal of Refractory Metals & Hard Materials)
巻： 73  ページ： 146-156  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0059B  ISSN： 0263-4368  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 実験計画法(DoE)の統計的設計は,ホットプレス80Cr10Si10Wの焼結パラメータ相互作用を系統的に研究する目的で実施した。から2~8MPaの圧力範囲で999と1200°Cの間で温度を変えて6.6~23.4分間により,三成分系の初期検査を実現した。本研究の全体的な目的は,空隙率を最小化し,元素の拡散を促進することである。研究は高温(>1000 °C)と圧力(>6 MPa)はクロムとシリコンの間の拡散を支持するタングステン粒子は,シリコンの結晶粒界に蓄積することを明らかにした。XRD解析はc CrSi_3相の存在を確認した。最高緻密化を約束する,DoEの設定は,0≧x≧20(wt%)のためのパターン80Cr(20 x)Si(x)Wに対応する多孔度に及ぼすけい素とタングステン含有量の影響を調べるために用いた。このアプローチは80Cr20Wの最低の気孔率(3.2±0.93面積%)を作成し,均一な粒子分布をもたらした。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 実験計画法 ,  クロム ,  高温 ,  *ケイ素 ,  ホットプレス ,  X線回折 ,  三成分系 ,  緻密化 ,  結晶粒界 ,  空隙率 ,  *焼結 ,  タングステン ,  *相互作用
準シソーラス用語： 粒子分布 ,  *焼結時間 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： ホットプレス ,  CrSiW ,  実験の設計 ,  焼結パラメータ ,  ち密化 ,  相形成

分類 (4件)： 機械的性質  (WB02030U) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  変態組織,加工組織  (WB01030N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 焼結 ,  挙動 ,  焼結時間 ,  Si ,  相互作用