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J-GLOBAL ID：201802268766374002   整理番号：18A0968239

スピンクロスオーバ薄膜の大面積電子接合における室温電流変調【JST・京大機械翻訳】

Room temperature current modulation in large area electronic junctions of spin crossover thin films

著者 (9件)： Shalabaeva Victoria (LCC, CNRS and Universite de Toulouse, UPS, INP, F-31077 Toulouse, France) ,  Ridier Karl (LCC, CNRS and Universite de Toulouse, UPS, INP, F-31077 Toulouse, France) ,  Rat Sylvain (LCC, CNRS and Universite de Toulouse, UPS, INP, F-31077 Toulouse, France) ,  Manrique-Juarez Maria D. (LCC, CNRS and Universite de Toulouse, UPS, INP, F-31077 Toulouse, France) ,  Salmon Lionel (LCC, CNRS and Universite de Toulouse, UPS, INP, F-31077 Toulouse, France) ,  Seguy Isabelle (LAAS, CNRS and Universite de Toulouse, INSA, UPS, F-31077 Toulouse, France) ,  Rotaru Aurelian (Faculty of Electrical Engineering and Computer Science and MANSiD Research Center, Stefan cel Mare University, 13, Str. Universitatii, Suceava 720229, Romania) ,  Molnar Gabor (LCC, CNRS and Universite de Toulouse, UPS, INP, F-31077 Toulouse, France) ,  Bousseksou Azzedine (LCC, CNRS and Universite de Toulouse, UPS, INP, F-31077 Toulouse, France)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 112  号： 1  ページ： 013301-013301-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 約336K付近でスピン転移を示す分子錯体[Fe(HB(z)_3)_2]の薄膜の大面積(~3mm2),ピンホールのないクロスバー接合を報告した。より薄い接合(10と30nm)における電荷輸送はトンネリング機構によって起こり,それはスピン転移によって実質的に影響されない。より厚い接合(100と200nm)は整流挙動を示し,高スピンから低スピン状態へ分子を切り替えたとき,約65~80%の電気抵抗の再現性低下を示した。この電流変調は熱活性化ホッピング過程によるバルク制限電荷輸送機構に起因する。環境条件における抵抗スイッチングの可能性の実証は,電子およびスピントロニクス素子における分子スピンクロスオーバ材料の実現に対する魅力的な展望を提供する。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 再現性 ,  *電流制御 ,  ホッピング伝導 ,  *接合 ,  整流 ,  トンネル効果 ,  ピンホール ,  *薄膜
準シソーラス用語： スピントロニクス素子 ,  抵抗スイッチング ,  低スピン状態 ,  電荷輸送 ,  スピン転移 ,  *大面積 ,  *スピンクロスオーバー , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F)

タイトルに関連する用語 (6件)： スピンクロスオーバ ,  薄膜 ,  大面積 ,  電子 ,  室温 ,  電流変調