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J-GLOBAL ID：201802268889275146   整理番号：18A0820977

グラフェンは化学蒸着成長中の触媒表面上の粒界をどのように交差させるか【JST・京大機械翻訳】

How graphene crosses a grain boundary on the catalyst surface during chemical vapour deposition growth

著者 (4件)： Dong Jichen (Center for Multidimensional Carbon Materials, Institute for Basic Science (IBS), Ulsan 44919, Republic of Korea. [e-mail]) ,  Zhang Leining ,  Zhang Kaili ,  Ding Feng
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 10  号： 15  ページ： 6878-6883  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンの化学気相成長(CVD)成長は通常エピタキシャル過程であり,吸着層の原子構造は基板の集合組織をコピーするはずである。しかし,金属箔上に成長させた単結晶グラフェンは,基板の結晶粒界(GB)を,結晶方位を変化させる必要条件,GBの他の側の基板による構造レジストリを維持することなく,結晶粒界(GB)を横切る可能性が広く観察されている。ここでは,多結晶金属基板上のグラフェン成長挙動に関する包括的な理論的研究を提示した。著者らの密度汎関数理論(DFT)計算は,大部分の金属表面上のグラフェン成長に対して,基板上のエピタキシャルおよび非エピタキシャルグラフェン間の結合エネルギー差はグラフェン中のGBの形成エネルギーを補償するのに十分ではなく,そのため成長グラフェンはその結晶配向を変えることなく金属表面上のGBを通過できることを明らかにした。従って,グラフェンCVD成長はエピタキシャル過程とは厳密には見なされない。この結論は原子シミュレーションによってさらに検証された。本研究は,金属触媒表面上のグラフェンの成長が,グラフェン分域が核形成する単結晶金属ファセット上にのみ整列する準エピタキシャル過程と見なすべきであるが,グラフェンが金属表面上のGBを横切ると,金属基板との構造的レジストリが失われることを示した。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 密度汎関数法 ,  原子構造 ,  単結晶 ,  *グラフェン ,  金属箔 ,  結合エネルギー ,  多結晶 ,  ファセット ,  *結晶粒界 ,  エピタクシー ,  *化学蒸着 ,  結晶方位 ,  核形成
準シソーラス用語： 金属表面 ,  金属基板 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (6件)： グラフェン ,  化学蒸着 ,  成長 ,  触媒 ,  粒界 ,  交差