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J-GLOBAL ID：201802268928816807   整理番号：18A0078577

ナノサイズ二成分膜の脱濡れ:Au-Geに関する事例研究【Powered by NICT】

De-wetting of nanosized binary films: A case study on Au-Ge

著者 (4件)： Zelenina I.S. (Karazin Kharkiv National University, Kharkiv, Ukraine) ,  Bogatyrenko S.I. (Karazin Kharkiv National University, Kharkiv, Ukraine) ,  Minenkov A.A. (Karazin Kharkiv National University, Kharkiv, Ukraine) ,  Kryshtal A.P. (AGH University of Science and Technology, Krako ́w, Poland)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： NAP  ページ： 02NTF08-1-02NTF08-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 近共晶組成の7,5nm厚の多結晶Au-Ge層状膜の形態をその場TEM加熱法により広い温度範囲で研究した。非晶質炭素基板上のAu-Ge膜のディウェッティングは約150°Cの温度前融解温度で18nmの平均厚さと大きな平坦島の形成をもたらすで活性化されることを示した。合金膜の共晶融解は巨大な円形二成分粒子に平坦な島の変換を誘導する250~°Cの温度で起こった。膜の被覆率と温度の間の相関を決定した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 共晶 ,  合金 ,  融点 ,  多結晶 ,  *事例研究 ,  被覆率
準シソーラス用語： 温度範囲 ,  その場TEM ,  *脱濡れ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (6件)： ナノサイズ ,  二成分 ,  脱濡れ ,  Au ,  Ge ,  研究