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J-GLOBAL ID:201802268952032171   整理番号:18A1097596

宇宙用GaInP/GaAs/Ge三重接合太陽電池の抗照射性能及び劣化機構研究【JST・京大機械翻訳】

Radiation Resistance and Degradation Mechanism of Space GaInP/GaAs/Ge Triple-j unction Solar Cell
著者 (7件):
資料名:
巻: 31  号: z2  ページ: 12-16  発行年: 2017年 
JST資料番号: C2126A  ISSN: 1005-023X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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宇宙用GaInP/(In)GaAs/Ge三重接合太陽電池の分散Bragg反射器(DBR)を,TFC光学膜設計ソフトウェアにより設計した。15対のAl0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1Asから成るBragg反射器の反射率は,中心波長850nmで96%に達した。2種類の電池構造A、B地面の模擬照射実験を通じて、1MeV電子照射でGaInP/GaAs/Ge太陽電池の電気学パラメータの照射フルエンス退化の基本規律を獲得した。太陽電池内部のキャリア輸送機構を,PC1Dシミュレーションプログラムを用いて分析した。その結果,多数のキャリア濃度と少数キャリア拡散長が入射電子注入の増加とともに減少することを示した。同時に,元の電池構造Aの中の多数のキャリアの除去比率と少数キャリアの拡散長さの損傷係数は,新しい電池構造Bのそれより明らかに高かった。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
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太陽電池 
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