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J-GLOBAL ID：201802268957290875   整理番号：18A1675918

V溝パターン化シリコン上に選択成長させたレーザアレイ構造における熱応力分布【JST・京大機械翻訳】

Thermal stress distribution in a laser array structure selectively grown on V-groove-patterned silicon

著者 (7件)： Yin Haiying (State Key Laboratory of Information Photonics and Optical Communications, Beijing University of Posts and Telecommunications, Beijing 100876, China) ,  Wang Jun (State Key Laboratory of Information Photonics and Optical Communications, Beijing University of Posts and Telecommunications, Beijing 100876, China) ,  Yang Zeyuan (State Key Laboratory of Information Photonics and Optical Communications, Beijing University of Posts and Telecommunications, Beijing 100876, China) ,  Cheng Zhuo (State Key Laboratory of Information Photonics and Optical Communications, Beijing University of Posts and Telecommunications, Beijing 100876, China) ,  Wang Wei (State Key Laboratory of Information Photonics and Optical Communications, Beijing University of Posts and Telecommunications, Beijing 100876, China) ,  Huang Yongqing (State Key Laboratory of Information Photonics and Optical Communications, Beijing University of Posts and Telecommunications, Beijing 100876, China) ,  Ren Xiaomin (State Key Laboratory of Information Photonics and Optical Communications, Beijing University of Posts and Telecommunications, Beijing 100876, China)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 8  号： 8  ページ： 085007-085007-12  発行年： 2018年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱膨張不整合による熱応力は,座屈や亀裂のような結晶学的欠陥を誘起し,デバイス性能を劣化させる。本論文では,V溝パターン化Si基板上に選択的に成長させたレーザアレイ構造における熱応力分布を二次元有限要素法により調べた。驚くべきことに,InGaAs活性層の上部とInPキャップ層の大部分の領域が圧縮にあり,これは平面構造における熱応力分布とは遠く異なることが分かった。2つの機構を提案しモデル化し,非合体層の幅はSi基板の幅より小さく,エピタキシャル層の熱応力を変化させ,(ii)InGaAsとInP層の熱応力はV溝構造に影響されることを示した。結果は,エピタキシャル層が合体するかどうかは,熱応力分布に著しい影響を及ぼすことを示した。また,V溝の高さ,およびSiO_2マスクの幅が,熱応力分布に及ぼす影響を研究した。V溝の高さとSiO_2マスクの高さが応力分布において重要な役割を果たすことが分かった。これらの知見はレーザアレイの最適設計に有用であり,シリコン上のフォトニック集積回路の実現に向けて重要なステップを提供する。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： リン化インジウム ,  有限要素法 ,  *応力分布 ,  *レーザアレイ ,  不整合 ,  最適設計 ,  二次元 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  モデリング ,  *パターン形成 ,  *熱応力 ,  *ケイ素 ,  亀裂
準シソーラス用語： シリコンウエハ ,  *V溝 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (7件)： V溝 ,  パターン化 ,  シリコン ,  選択成長 ,  レーザアレイ ,  熱応力 ,  分布