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J-GLOBAL ID:201802268970176018   整理番号:18A1593250

サファイア基板上のTiO_2-VO_2エピタキシャル膜におけるスピノーダル分解による多層形成【JST・京大機械翻訳】

Multilayer formation via spinodal decomposition in TiO2-VO2 epitaxial films on sapphire substrates
著者 (10件):
資料名:
巻: 38  号: 15  ページ: 5043-5050  発行年: 2018年 
JST資料番号: E0801B  ISSN: 0955-2219  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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サファイア基板上のルチルTiO_2-VO_2(TVO)エピタキシャル膜におけるスピノーダル分解による多層形成を示した。(001)および(101)配向TVO固溶体膜を,パルスレーザ蒸着法を用いてTiO_2/Al_2O_3上にエピタキシャル成長させ,スピノーダル領域内でアニールした。X線回折測定と走査透過型電子顕微鏡(STEM)観察は,膜が[001]方向に沿って相分離され,ラメラ構造が膜配向に依存してサファイア基板に平行または傾斜方向に形成されることを示した。結果は,TVO膜におけるスピノーダル分解による多層形成を示した。また,ステム研究は,分解相における比較的高いTi濃度を明らかにし,膜中の相分解に及ぼす格子変形の影響を反映している。本研究はスピノーダル分解がTVO膜における多層構造の形成に対する有望なアプローチであり,TVO系におけるスピノーダル分解の理解を深める助けとなることを示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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酸化物薄膜  ,  セラミック・磁器の性質 
タイトルに関連する用語 (4件):
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