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J-GLOBAL ID：201802268980048085   整理番号：18A1676790

二次元遷移金属ジカルコゲン化物ヘテロ構造における一次元スピンチャネル【JST・京大機械翻訳】

One-Dimensional Spin Channel in Two-Dimensional Transition Metal Dichalcogenide Heterostructures

著者 (2件)： Mishra Varun (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA) ,  Salahuddin Sayeef (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Nanotechnology  (IEEE Transactions on Nanotechnology)
巻： 17  号： 5  ページ： 1053-1057  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1355A  ISSN： 1536-125X  CODEN： ITNECU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 外部磁場を必要とせずに,電流により2D遷移金属ジカルコゲニドの横方向ヘテロ接合で一次元(1D)スピンチャネルを得ることが可能であることを示した。これは,接合における伝導帯オフセットにより発展する電場と結合した2D材料の自然スピン軌道結合に起因する。それにもかかわらず,基礎となる物理は良く知られたスピンHall効果とは非常に異なることを示した。MoS_2/WSe_2のような典型的な2D半導体の横方向ヘテロ構造において,スピン分極の程度は伝導帯輸送に対して0.1%,室温における価電子帯輸送に対して0.75%と高いことを見出した。また,スピン分極は,流れる電子の運動量の増加により,縦方向(輸送)有効質量と共に増加することを見出した。このような1Dスピンチャネルは,スピントロニクス応用に潜在的に寄与することに加えて,閉じ込められた相空間におけるスピン動力学のプロービングを可能にするかもしれない。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電流 ,  価電子バンド ,  *チャネル ,  電場 ,  スピン分極 ,  *一次元 ,  オフセット ,  有効質量 ,  ヘテロ接合 ,  伝導バンド ,  半導体 ,  スピントロニクス ,  外部磁場 ,  *二次元
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  論理回路  (NC05070B) ,  磁性一般  (BM06010M) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 遷移金属ジカルコゲン化物 ,  ヘテロ構造 ,  スピン ,  チャネル